[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池襯底以及薄膜太陽能電池的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810040337.X
• 申請日: 2008-07-08
• 公開（公告）號: CN101626044A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖德元
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙）
• 代理人: 翟 羽

1.一種薄膜太陽能電池襯底的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)提供初始襯底；

(b)在初始襯底表面生長第一半導(dǎo)體層；

(c)將起泡離子注入到初始襯底中；

(d)在第一半導(dǎo)體層表面生長第二半導(dǎo)體層；

(e)在第二半導(dǎo)體層的表面生長支撐層；

(f)退火，從而使初始襯底在起泡離子的注入位置剝離；

其中步驟(c)和步驟(d)的實(shí)施順序可互換。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜太陽能電池襯底的制作方法，其特征在于，所述之起泡離子選自于氫離子、氦離子中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜太陽能電池襯底的制作方法，其特征在于，所述之第一半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體，第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜太陽能電池襯底的制作方法，其特征在于，所述之第一半導(dǎo)體層為單晶硅層，所述之第二半導(dǎo)體層為單晶硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜太陽能電池襯底的制作方法，其特征在于，所述之襯底為本征半導(dǎo)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜太陽能電池襯底的制作方法，其特征在于，所述之支撐層為金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜太陽能電池襯底的制作方法，其特征在于，所述之支撐層的厚度為20μm～50μm。

8.一種薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)提供初始襯底；

(b)在初始襯底表面生長第一半導(dǎo)體層；

(c)將起泡離子注入到初始襯底中；

(d)在第一半導(dǎo)體層表面生長第二半導(dǎo)體層；

(e)在第二半導(dǎo)體層的表面生長支撐層；

(f)退火，從而使初始襯底在起泡離子的注入位置剝離；

(g)在剝離后保留在第一半導(dǎo)體層表面的初始襯底的殘余部分的表面制作電極；

其中步驟(c)和步驟(d)的實(shí)施順序可互換。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括如下步驟：在步驟(f)實(shí)施完畢后，將剝離后保留在第一半導(dǎo)體層表面的初始襯底的殘余部分的表面粗糙化。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述之起泡離子選自于氫離子、氦離子中的一種或多種。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述之第一半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體，第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述之支撐層為金屬層。