[發(fā)明專利]硅基液晶器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810040294.5
• 申請日: 2008-07-03
• 公開（公告）號: CN101620347A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃河;李衛(wèi)民;李海艇;任自如;韓軼男
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/84
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐 謙;楊紅梅

1.一種硅基液晶器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成的高壓MOS晶體管，所述晶體管具有第一節(jié)點、第二節(jié)點以及行節(jié)點；

耦合于所述晶體管的第一電容器結(jié)構(gòu)，所述第一電容器結(jié)構(gòu)包括：

耦合于所述晶體管的第二節(jié)點的第一多晶硅層；

覆蓋在所述第一多晶硅層上的第一電容器絕緣層；

覆蓋在所述絕緣層上的第二多晶硅層，所述第二多晶硅層耦合于參考電勢；

耦合于所述晶體管的第二電容器結(jié)構(gòu)，所述第二電容器結(jié)構(gòu)包括：

耦合于所述參考電勢的第一金屬層；

第二電容器絕緣層；

耦合于所述晶體管的所述第二節(jié)點的第二金屬層；

包括所述第二金屬層的像素電極，所述像素電極耦合于所述晶體管的所述第二節(jié)點；

位于所述像素電極上的鏡面；以及

由所述第一金屬層的一部分形成的光屏蔽層。

2.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述參考電勢為地。

3.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一金屬層包括含鋁材料。

4.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二金屬層包括含鋁材料。

5.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一多晶硅層包括摻雜的多晶硅材料。

6.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二多晶硅層包括摻雜的多晶硅材料。

7.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一金屬層的面積為30平方微米至100平方微米。

8.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一電容器是電容值為50至100飛法的多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器。

9.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二電容器是電容值為5至100飛法的金屬-絕緣體-金屬電容器。

10.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二電容器絕緣層包括厚度為500埃至1500埃的二氧化硅材料。

11.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述晶體管為適合于切換10伏至20伏電壓的高壓N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體器件。

12.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一電容器和所述第二電容器彼此并聯(lián)。

13.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二電容器絕緣層由從Si3N4、SiO2或Al2O3中選擇的材料制成。

14.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一電容器絕緣層由從Si3N4、SiO2或Al2O3中選擇的材料制成。

15.一種硅基液晶器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，所述高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具有耦合于第一節(jié)點的第一源極/漏極、耦合于第二節(jié)點的第二源極/漏極、以及耦合于行節(jié)點的柵極；

耦合于所述高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器結(jié)構(gòu)，所述多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器結(jié)構(gòu)包括：

耦合于所述高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述第二節(jié)點的第一多晶硅層；

覆蓋在所述第一多晶硅層上的第一電容器絕緣層；

覆蓋在所述絕緣層上的第二多晶硅層，所述第二多晶硅層耦合于參考電勢；

耦合于所述高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)，所述金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu)包括：

耦合于所述參考電勢的第一金屬層；

第二電容器絕緣層；

耦合于所述高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述第二節(jié)點的第二金屬層；

包括所述第二金屬層的像素電極，所述像素電極耦合于所述高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的所述第二節(jié)點；

所述像素電極上的鏡面；

由所述第一金屬層的一部分形成的光屏蔽層；

耦合于所述參考電勢的地電勢。

16.如權(quán)利要求15所述的硅基液晶器件，其中所述高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管適合于切換10伏至20伏的電壓電勢。