[發明專利]芯片凸塊結構及其制造方法有效
| 申請號： | 200810040231.X | 申請日： | 2008-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN101621044A | 公開（公告）日： | 2010-01-06 |
| 發明（設計）人： | 李德君 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈 蘅;李時云 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 結構 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片凸塊結構的制造方法，其中該芯片凸塊包括位于晶圓表面焊墊上的連接體和位于該連接體上的焊料凸塊，其特征是，該方法包括：
設定連接體與焊料凸塊相交面的大小，其中該連接體的形狀為上寬下窄的臺體且焊料凸塊的形狀為部分球體，則上述相交面為圓形交面；
確定焊料凸塊的尺寸；
確定焊料凸塊與連接體相交面外邊緣上任意一點的切面與晶圓表面之間的銳角夾角β；
確定連接體的尺寸，使該連接體側邊與晶圓表面之間的夾角α小于上述銳角夾角β；
制作所述形狀與尺寸的連接體以及焊料凸塊，其包括：
淀積光阻；
曝光顯影所述光阻，形成光阻開口，其中該光阻開口具有與設定的連接體的形狀和尺寸相同的部分；
在光阻開口內形成連接體；
在連接體上形成焊料；
回流形成設定形狀與尺寸的焊料凸塊。
2.根據權利要求1所述的芯片凸塊結構的制造方法，其特征是，其中上述連接體是在上述光阻開口中電鍍銅而形成。
3.根據權利要求1所述的芯片凸塊結構的制造方法，其特征是，還包括：在晶圓的表面上形成球底金屬層，而后于其上淀積光阻。
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