[發(fā)明專利]基于硅基環(huán)形諧振腔的光微分器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810039557.0
• 申請日: 2008-06-26
• 公開（公告）號: CN101303506A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發(fā)明（設計）人: 劉芳菲;蘇翼凱;王濤;李強;仇旻
• 申請（專利權(quán)）人: 上海交通大學
• 主分類號: G02F1/35
• 分類號: G02F1/35;H04B10/12
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種基于硅基環(huán)形諧振腔的光微分器，包括：待微分信號發(fā)生器，硅基環(huán)形諧振腔，以及微分后信號檢測和監(jiān)控系統(tǒng)，待微分信號發(fā)生器與硅基環(huán)形諧振腔的輸入相連，硅基環(huán)形諧振腔的輸出與微分后信號檢測和監(jiān)控系統(tǒng)相連，其特征在于，所述硅基環(huán)形諧振腔由一個硅基微環(huán)和一根直波導構(gòu)成，硅基微環(huán)和一根直波導之間的空氣隙間隔為幾十至幾百納米，硅基環(huán)形諧振腔頻譜呈周期性的帶阻濾波特性，在諧振波長處的透射率等于0或非常接近0，硅基環(huán)形諧振腔工作在臨界耦合狀態(tài)或十分接近臨界耦合狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基環(huán)形諧振腔的光微分器，其特征是，所述硅基環(huán)形諧振腔，改變其頻譜是通過改變硅基微環(huán)和直波導之間的空氣隙間隔，改變硅基微環(huán)和直波導之間的耦合程度，臨界耦合的條件是當硅基微環(huán)的本征損耗和由于跟直波導耦合導致的損耗相等時。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基環(huán)形諧振腔的光微分器，其特征是，所述的待微分信號發(fā)生器包括可調(diào)激光器、電信號發(fā)生器、電光調(diào)制器，其中：可調(diào)激光器產(chǎn)生連續(xù)的激光，波長對應環(huán)形諧振腔的一個諧振峰，其輸出端口與電光調(diào)制器的輸入端口相連，電信號發(fā)生器輸出端口與電光調(diào)制器的射頻輸入端口相連，電光調(diào)制器負責將電信號調(diào)制到光上，產(chǎn)生待微分的光信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅基環(huán)形諧振腔的光微分器，其特征是，所述的微分后信號檢測和監(jiān)控系統(tǒng)包括功分器、功率監(jiān)控器和檢測系統(tǒng)，其中硅基環(huán)形諧振腔的輸出與功分器的輸入相連，功分器輸出功率較大的端口與檢測系統(tǒng)相連，輸出功率較小的端口與功率監(jiān)控器相連，功率監(jiān)控器用來監(jiān)控激光器波長是否為諧振波長，檢測系統(tǒng)用來觀察微分后的波形。