[發明專利]一種真空滅弧室工頻預擊穿電流的模擬方法

無效

• 申請號: 200810039449.3
• 申請日: 2008-06-24
• 公開（公告）號: CN101615221A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 王衛斌
• 申請（專利權）人: 上海恒睿信息技術有限公司;上海市電力公司
• 主分類號: G06F19/00
• 分類號: G06F19/00
• 代理公司: 上海兆豐知識產權代理事務所
• 代理人: 章蔚強

1.一種真空滅弧室工頻預擊穿電流的模擬方法，通過計算機來實現對真空滅弧室工頻預擊穿電流的模擬，其特征在于，它包括以下步驟：

首先，建立流過真空滅弧室的預擊穿電流Ip與施加電壓U之間的函數關系；

然后，根據得到的預擊穿電流Ip與施加電壓U之間的關系，通過計算機進行計算，得出一系列的預擊穿電流Ip與施加電壓U之間的對應數值；

最后，根據得到的一系列的預擊穿電流Ip與施加電壓U之間的對應數值，通過計算機自動繪制預擊穿電流Ip與施加電壓U的關系曲線圖，該關系曲線圖即為預擊穿電流Ip的波形圖。

2.根據權利要求1所述的真空滅弧室工頻預擊穿電流的模擬方法，其特征在于，所述的預擊穿電流Ip與施加電壓U之間的函數關系為：

lg(iu2)=-Bu+lgA,]]>

其中，i為場致發射電流，即預擊穿電流Ip；

u為施加于真空間隙兩端的電壓，即施加電壓U；

A、B為與具體電極表面狀態、殘余氣體、電極結構形狀以及電極材料有關的系數，A正比于場致發射面積，B正比于是表面逸出功，β是場增強系數。

3.根據權利要求2所述的真空滅弧室工頻預擊穿電流的模擬方法，其特征在于，所述的A和B的值可由真空滅弧室在直流下的F-N圖求出。