[發(fā)明專利]一種提純硅的物理方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810039100.X | 申請(qǐng)日： | 2008-06-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101607711A | 公開（公告）日： | 2009-12-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王武生 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海奇謀能源技術(shù)開發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B33/037 | 分類號(hào)： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201600上海市松*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提純 物理 方法 | ||
1.一種提純硅的物理方法，其特征是：所述方法是利用硅與其中雜質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)的不同以及在不同壓力、不同溫度下的蒸發(fā)量的不同，通過加熱對(duì)粗硅進(jìn)行蒸餾，將硅與其中的雜質(zhì)進(jìn)行分離，從而提高硅的純度的方法。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提純硅的物理方法，其特征是：所述加溫過程是在分餾塔中進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提純硅的物理方法，其特征是：所述分餾塔與真空設(shè)備相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提純硅的物理方法，其特征是：所述溫度在除去熔點(diǎn)低于硅的雜質(zhì)時(shí)，溫度是高于硅的熔點(diǎn)而低于的硅的沸點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提純硅的物理方法，其特征是：所述壓力是常壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提純硅的物理方法，其特征是：所述雜質(zhì)的熔點(diǎn)高于硅的熔點(diǎn)時(shí)，所述溫度高于硅的熔點(diǎn)而低于雜質(zhì)的熔點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提純硅的物理方法，其特征是：所述壓力是真空狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提純硅的物理方法，其特征是：在所述分留塔里上部安裝硅冷卻板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提純硅的物理方法，其特征是：所述分餾塔上安裝了不同雜質(zhì)的餾分出口。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的提純硅的物理方法，其特征是：在所述硅的餾分出口處安裝了硅冷卻板。
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