[發(fā)明專(zhuān)利]一次寫(xiě)入多次讀取的電存儲(chǔ)器件及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810038578.0 | 申請(qǐng)日: | 2008-06-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101290971A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐偉;董元偉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/05 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/10;H01L51/40;H01L27/28;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司: | 上海正旦專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人: | 陸飛;盛志范 |
| 地址: | 20043*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一次 寫(xiě)入 多次 讀取 存儲(chǔ) 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一次寫(xiě)入多次讀取的電存儲(chǔ)器件,其特征在于該器件的結(jié)構(gòu)組成依次為金屬底電極、配位聚合物介質(zhì)層、金屬頂電極;其中金屬底電極為銅膜,厚度為150-300nm;金屬頂電極為鋁膜,厚度為80-150nm;中間的配位聚合物介質(zhì)層是由金屬底電極浸入到有機(jī)配體分子溶液中,通過(guò)固-液界面的化學(xué)反應(yīng),原位形成的配位聚合物薄膜,該有機(jī)配體為2,5-二巰基-1,3,4-噻二唑,分子式為C2H2N2S3。
2.一種如權(quán)利要求1所述的一次寫(xiě)入多次讀取電存儲(chǔ)器件的制備方法,其特征在于具體步驟如下:(1)采用乙醇或者N,N-二甲基甲酰胺做溶劑,配制濃度為0.01~20克/升的有機(jī)配體分子溶液,備用;(2)在載波片上通過(guò)真空熱蒸發(fā)方法沉積厚度為150~300納米的銅膜作為底電極,電極的形狀由掩膜確定;(3)將銅膜底電極浸入有機(jī)配體分子溶液中,自然放置0.5~48小時(shí),然后將電極取出,用大量溶劑洗滌,靜置晾干或者用電吹風(fēng)吹干,即在銅膜底電極表面形成配位聚合物介質(zhì)層;(4)用真空熱蒸發(fā)方法在配位聚合物介質(zhì)層的表面蒸鍍80-150納米厚度的鋁膜,作為頂電極;這里,所述有機(jī)配體為2,5-二巰基-1,3,4-噻二唑,分子式為C2H2N2S3。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于復(fù)旦大學(xué),未經(jīng)復(fù)旦大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810038578.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線(xiàn)輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 寫(xiě)入裝置、半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡、寫(xiě)入程序及寫(xiě)入方法
- 圖形寫(xiě)入裝置和圖形寫(xiě)入方法
- 寫(xiě)入裝置及寫(xiě)入方法
- 優(yōu)化寫(xiě)入方法、優(yōu)化寫(xiě)入設(shè)備及數(shù)據(jù)產(chǎn)生和寫(xiě)入設(shè)備
- 光寫(xiě)入裝置和光寫(xiě)入方法
- 數(shù)據(jù)寫(xiě)入系統(tǒng)與數(shù)據(jù)寫(xiě)入方法
- 數(shù)據(jù)的寫(xiě)入方法及寫(xiě)入裝置
- 寫(xiě)入輔助
- 芯片數(shù)據(jù)寫(xiě)入設(shè)備及寫(xiě)入方法
- 減輕寫(xiě)入干擾的寫(xiě)入操作





