[發明專利]柔性非晶硅太陽電池制造工藝

無效

• 申請號: 200810038522.5
• 申請日: 2008-06-04
• 公開（公告）號: CN101290955A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 胡宏勛;鄭君
• 申請（專利權）人: 胡宏勛;鄭君
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20
• 代理公司: 上海東亞專利商標代理有限公司
• 代理人: 羅習群

1、一種柔性非晶硅太陽電池制造工藝，用厚度為0.3mm卷狀透明聚酰亞胺膜，按下列工藝步驟鍍層：

(1)將卷有透明聚酰亞胺膜滾筒裝入一套常規磁控濺射設備的沉積室內，架在一個軸承架上，使之能平穩旋轉，將繞在滾筒上外端的聚酰亞胺膜拉出，通過磁控濺射設備的沉積區后固定在另一個滾筒上，該滾筒能在一個電源的帶動下旋轉，以5-10cm/秒的速度通過沉積區，生成一層ZnOx導電膜層，其電阻率小于10Ω-cm；

(2)將鍍有ZnOx導電膜層的聚酰亞胺膜滾筒取出，送入一個單室大型PECVD設備中，內部沉積溫度為210℃，采用13.5MZ的射頻作電源，用等離子增強法沉積p、i、n型非晶硅薄膜，在PECVD反應室內有兩個可自動控制旋轉速度的軸承A、B，可正向、逆向旋轉，已沉積有ZnOx膜的聚酰亞胺薄膜滾筒，固定在一個A軸承上，將已沉積有ZnOx膜的聚酰亞胺薄膜一端拉出，通過等離子沉積區后，繞到另一個軸承B的滾筒上，其沉積p、i、n型非晶硅薄膜步驟分別是：

a，先沉積p型非晶硅，其工藝參數如下：

反應氣體硅烷和硼烷混合氣體比例是硼烷/硅烷＝2％，氣體流量是250sccm，聚酰亞胺薄膜溫度210℃，反應功率20mW/cm²，反應壓力1乇，沉積速度厚度8-10nm；聚酰亞胺薄膜的移動速度10cm/S；

b，沉積i層時，將該滾筒A、B逆向旋轉，同樣采用PECVD的方法沉積本征層i，聚酰亞胺薄膜的移動速度為1-1.5nm/S，沉積厚度為300nm，射頻功率20mW/cm²，沉積溫度210℃，采用純硅烷，流量為500sccm，反應壓力1乇；

c，沉積n層，其過程和沉積p型非晶硅相同，將n型非晶硅膜沉積在本征層之上，其工藝參數如下：

聚酰亞胺薄膜溫度210℃，反應氣體硅烷和磷烷PH3/Si₂H₄為1.5％的比例，流量250sccm，沉積率為0.3-0.5nW/S，沉積厚度30-35nm；

(3)將裝有聚酰亞胺薄膜的滾筒，安裝入一個專門用來沉積鋁層的磁控濺射設備中，采用直流磁控濺射的方法沉積一層鋁，其傳輸過程和制造ZnOx膜相同，聚酰亞胺薄膜移動速度30cm/s，鋁膜的厚度約300nm；

(4)n型電極采用鋁超聲焊接，p型電極采用低溫銀-鋁漿法封裝。