[發明專利]一種用于金屬化學機械拋光的拋光漿料及其用途有效
| 申請號： | 200810038309.4 | 申請日： | 2008-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN101591509A | 公開（公告）日： | 2009-12-02 |
| 發明（設計）人： | 徐春 | 申請（專利權）人： | 安集微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | C09G1/02 | 分類號： | C09G1/02;C09G1/00;C12N9/08;C23F3/00 |
| 代理公司： | 上海翰鴻律師事務所 | 代理人： | 李佳銘 |
| 地址： | 201203上海市浦東新區張江高科*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 金屬 化學 機械拋光 拋光 漿料 及其 用途 | ||
1.一種用于金屬化學機械拋光的拋光漿料，含有氧化劑、研磨顆粒和 載體，其特征在于，還含有酶，其中，所述的酶選自過氧化物酶、辣根過氧 化物酶、谷胱甘肽過氧化物酶和過氧化物歧化酶。
2.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，所述的酶的濃度為 重量百分比0.01～1%。
3.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，所述的氧化劑選自 過氧化氫、過氧化氫脲、過氧乙酸、過氧化苯甲酰、過硫酸鉀、過硫酸銨和 過碘酸鉀。
4.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，所述的氧化劑的濃 度為重量百分比0.1～10%。
5.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，所述的研磨顆粒選 自氧化硅、氧化鋁、氧化鈰和聚合物顆粒。
6.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，所述的研磨顆粒的 粒徑為20～200nm。
7.根據權利要求6所述的拋光漿料，其特征在于，所述的研磨顆粒的 粒徑為30～100nm。
8.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，所述的研磨顆粒的 濃度為重量百分比0.1～10%。
9.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，該拋光漿料的pH值 為2.0～12.0。
10.根據權利要求9所述的拋光漿料，其特征在于，該拋光漿料的pH 值為2.0～5.0或9.0～12.0。
11.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，還包含pH調節劑、 表面活性劑、穩定劑、腐蝕抑制劑和/或殺菌劑。
12.根據權利要求1所述的拋光漿料，其特征在于，所述的載體為水或 醇。
13.一種權利要求1~12任一項所述的拋光漿料在化學機械拋光半導體 制程中使用的包括鎢、銅、鋁、鉭或氮化鉭的金屬中的用途。
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