[發明專利]新型不可揮發存儲器的工藝波動性控制方法

無效

• 申請號: 200810038218.0
• 申請日: 2008-05-29
• 公開（公告）號: CN101286356A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 趙長虹;林殷茵
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C7/02
• 分類號: G11C7/02;G11C7/04;G11C29/12
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸飛;盛志范

1、一種不可揮發存儲器的工藝波動性控制方法，其特征在于將不可揮發存儲器的工藝波動性控制與其測試相結合，將工藝波動性控制邏輯嵌入存儲器的內嵌自測試控制電路，利用測試過程中對存儲器的讀寫實現新型不可揮發存儲器的工藝波動性控制。

2、根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于具體步驟如下：

首先，將存儲陣列按區域劃分為若干個大小相同的模塊，其中，同一模塊具有相同的工藝波動參數；

其次，將工藝波動性參數直接存儲在新型不可揮發存儲器中，即對于存儲陣列的每一個模塊，初始的8個字節用于存儲工藝波動性參數；對用戶而言，這8個字節是不可讀寫的，同時通過存儲器的內部控制邏輯實現存儲地址對用戶是連續的；

再次，將新型不可揮發存儲器的工藝波動性控制與其測試相結合，利用測試過程對存儲陣列的讀寫實現工藝波動性控制。

3、根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于所述將工藝波動性控制與其測試相結合，就是將工藝波動性控制加入存儲器的內嵌自測試中，得到內嵌自測試和工藝波動性控制器，通過內嵌自測試實現對存儲陣列的讀寫和學習，將學習的中間結果存入內嵌自測試和工藝波動性控制器的內部寄存器R1～Rn，再通過內嵌自測試和工藝波動性控制器將最終的工藝波動性參數寫入相應模塊的前8個字節，從而完成新型不可揮發存儲器的工藝波動性控制。

4、根據權利要求3所述的控制方法，其特征在于利用新型不可揮發存儲器的測試過程實現寫操作的工藝波動性控制的步驟如下：

(1).、首先讓BIST控制＝1、讀/寫＝寫和PVT控制＝0，然后對存儲陣列進行寫操作。

(2).、將R1～Rn全部清0；

(3)、判斷地址是否處于當前模塊，如果是，進入步驟(4)，否則進入步驟(12)；

(4)、使用第一組參數進行寫操作，如果寫操作成功，則R1＝R1+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(5)；

(5)、使用第二組參數進行寫操作，如果寫操作成功，則R2＝R2+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(6)；

(6)、使用第三組參數進行寫操作，如果寫操作成功，則R3＝R3+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(7)；

(7)、使用第四組參數進行寫操作，如果寫操作成功，則R4＝R4+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(8)；

(8)、使用第五組參數進行寫操作，如果寫操作成功，則R5＝R5+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(9)；

(9)、使用第六組參數進行寫操作，如果寫操作成功，則R6＝R6+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(10)；

(10)、使用第七組參數進行寫操作，如果寫操作成功，則R7＝R7+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(11)；

(11)、使用第八組參數進行寫操作，如果寫操作成功，則R8＝R8+1，返回步驟(3)，否則直接返回步驟(3)；

(12).、讓PVT控制＝1，讀/寫＝寫和BIST控制＝0，根據R1～Rn存儲數值的大小，將數值最大的寄存器所對應的寫操作電壓或電流的寬度和幅度寫入存儲陣列相應模塊的前8個字節。

5、根據權利要求3所述的控制方法，其特征在于對存儲陣列測試的同時實現對讀操作的工藝波動性控制，其步驟如下：

(1).讓BIST控制＝1、讀/寫＝讀和PVT控制＝0，然后對存儲陣列進行讀操作；

(2).將R1～Rn全部清0；

(3).判斷地址是否處于當前模塊，如果是，進入步驟(4)，否則進入步驟(12)；

(4).使用第一組參數進行讀操作，如果讀操作成功，則R1＝R1+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(5)；

(5).使用第二組參數進行讀操作，如果讀操作成功，則R2＝R2+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(6)；

(6).使用第三組參數進行讀操作，如果讀操作成功，則R3＝R3+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(7)；

(7).使用第四組參數進行讀操作，如果讀操作成功，則R4＝R4+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(8)；

(8).使用第五組參數進行讀操作，如果讀操作成功，則R5＝R5+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(9)；

(9).使用第六組參數進行讀操作，如果讀操作成功，則R6＝R6+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(10)；

(10).使用第七組參數進行讀操作，如果讀操作成功，則R7＝R7+1，返回步驟(3)，否則進入步驟(11)；

(11).使用第八組參數進行讀操作，如果讀操作成功，則R8＝R8+1，返回步驟(3)，否則直接返回步驟(3)；

(12).讓PVT控制＝1、讀/寫＝寫和BIST控制＝0，根據R1～Rn存儲數值的大小，將數值最大的寄存器所對應的讀操作的充電和檢測的周期寫入存儲陣列相應模塊的前8個字節。