[發(fā)明專利]大面積納米線P-N結(jié)陣列及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810037746.4
• 申請日: 2008-05-21
• 公開（公告）號: CN101587830A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周偉民;鈕曉鳴;宋志棠;閔國全;劉彥伯;李小麗;萬永忠;張靜;封松林
• 申請（專利權(quán)）人: 上海市納米科技與產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進中心;中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/027;H01L21/308;B82B3/00;G03F7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種納米線P-N結(jié)陣列的新型納米加工方法。

2.按照權(quán)利要求1所要求的納米線P-N結(jié)陣列的制備方法，其特征在于，采用納米壓印方法壓印出所需結(jié)構(gòu)，壓印模板是陰模，或為陽模。

3.按照權(quán)利要求2所要求的模板是陰模時，其特征在于，加工材料可以是P-N層結(jié)構(gòu)基片，或為P型，或為N型材料。

4.按照權(quán)利要求3所要求的基片是P-N層結(jié)構(gòu)基片時，其特征在于，以下對本方法進一步說明：

(1)在P(或N)型的半導(dǎo)體基片上濺射一層N(或P)型的半導(dǎo)體，形成P-N層結(jié)構(gòu)。

(2)在P-N層結(jié)構(gòu)的基片上旋涂一層納米壓印光刻膠，采用納米模板(陰模)板壓印出圖案。

(3)用刻蝕工藝依次去除殘留膠和刻蝕出P-N結(jié)，完成圖形轉(zhuǎn)移。

5.按照權(quán)利要求3所要求的基片是P(N)型時，其特征在于，以下對此進一步說明：

(1)在P(或N)型基片上旋涂一層納米壓印光刻膠，采用納米模板(陰模)壓印出圖案。

(2)用刻蝕工藝依次去除殘留膠和刻蝕出納米線P(或N)型陣列，完成圖形轉(zhuǎn)移。

(3)對上一步得到納米線P(或N)型陣列進行摻雜，就可以得到納米線P-N結(jié)陣列。

6.按照權(quán)利要求2所要求的模板是陽模時，其特征在于，加工材料可以是P-N層結(jié)構(gòu)基片，或為P型，或為N型基片。

7.按照權(quán)利要求6所要求的基片是P-N層結(jié)構(gòu)基片時，其特征在于，以下對本方法進一步說明：

(1)在P(或N)型的半導(dǎo)體基片上濺射一層N(或P)型的半導(dǎo)體，形成P-N層結(jié)構(gòu)。

(2)在P-N層結(jié)構(gòu)的基片濺射一定厚度的SiO₂層，后旋涂一層納米壓印光刻膠，采用納米模板(陽模)壓印出圖案。

(3)用刻蝕工藝依次去除殘留膠，SiO₂，刻蝕到P層(或N層)上，使壓印圖形轉(zhuǎn)移到P層(或N層)。

(4)用酸腐蝕掉SiO₂，就得到納米線P-N結(jié)陣列。

8.按照權(quán)利要求6所要求的基片是P(N)型時，其特征在于，以下對此進一步說明：

(1)在P(或N)型基片上濺射一定厚度的SiO₂層，后旋涂一層納米壓印光刻膠，采用納米模板(陽模)壓印出圖案。

(2)用刻蝕工藝和酸腐蝕工藝依次去除殘留膠和刻蝕出納米線P(或N)型陣列。

(3)對所得到的P(或N)型納米線陣列進行摻雜，就可以加工出納米線P-N結(jié)陣列。

9.按照權(quán)利要求1～8所要求的P型(或N，或P-N)材料，其特征是無機半導(dǎo)體材料，或為有機半導(dǎo)體材料；或是單質(zhì)半導(dǎo)體材料，或化合物半導(dǎo)體材料。

10.按照權(quán)利要求4～8所要求的壓印方法，其特征是紫外壓印，或熱壓印。

11.按照權(quán)利要求5和8所要求的摻雜，其特征是通過相應(yīng)的氣相摻雜，或為離子注入摻雜。

12.按照權(quán)利要求7和8所要求的用SiO₂作為刻蝕阻擋層，其特征是或用金屬層作為刻蝕阻擋層。

13.按照權(quán)利要求1所要求的納米加工方法，其特征是采用納米壓印技術(shù)壓印出圖案，結(jié)合刻蝕工藝，完成圖形轉(zhuǎn)移，刻蝕出納米線P-N結(jié)陣列，其中采用刻蝕的方法為干法刻蝕，或為濕法刻蝕。