[發明專利]基于Si納米線陣列太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 200810037745.X
• 申請日: 2008-05-21
• 公開（公告）號: CN101587916A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 周偉民;鈕曉鳴;宋志棠;閔國全;劉彥伯;李小麗;張靜;萬永忠;封松林
• 申請（專利權）人: 上海市納米科技與產業發展促進中心;中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種納米線陣列太陽能電池的納米制造技術，其特征在于，包括：納米線pn結陣列以及pn結兩端的金屬電極。

2.按照權利要求1所要求的納米制造技術，其特征在于，采用納米壓印技術結合微電子工藝。

3.按照權利要求2所要求的納米壓印技術，其特征是紫外壓印，或熱壓印。

4.按照權利要求1所要求的pn結結構，其特征在于，是徑向或軸向異質結。

5.按照權利要求1所要求的pn結所要求的材料，其特征在于：具有p(n)性質的單質、化合物材料，或為有機、無機材料。

6.按照權利要求1所要求的pn結制備方法，其特征在于：在pn材料上壓印和刻蝕出pn結結構，或在p(n)型材料上壓印刻蝕出p(n)型納米線陣列，后沉積n(p)型材料，或摻雜形成pn結。

7.按照權利要求1所要求的pn結兩端的金屬電極，滿足歐姆接觸特性，其特征在于：濺射ITO，Ti，Al，Ag，Cu，W，Ni等金屬。