[發(fā)明專利]過孔和金屬溝槽的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810037681.3
• 申請日: 2008-05-20
• 公開（公告）號: CN101587854A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周鳴;孔武
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.過孔和金屬溝槽的制作方法，所述過孔與金屬溝槽連通，均制作于硅基底；所述硅基底具有中間阻擋層和底部阻擋層，所述硅基底上覆蓋有硬掩模層，其特征在于，過孔和金屬溝槽的制作包括以下步驟：

步驟1：蝕刻掉預(yù)制金屬溝槽的硅基底表面的硬掩模層部分；

步驟2：在蝕刻掉硬掩模層部分的硅基底表面填充底層抗反射膜；

步驟3：在非預(yù)制作過孔的硬掩模層及底層抗反射膜表面涂覆光阻，分步將預(yù)制作過孔位置的介質(zhì)蝕刻掉，包括第一步蝕刻掉過孔部分底層抗反射膜，第二步蝕刻掉過孔部分中間阻擋層上硅基底，和過孔部分中間阻擋層，第三步蝕刻掉過孔部分中間阻擋層下硅基底，形成過孔；

步驟4：去掉光阻及底層抗反射膜，蝕刻掉未覆蓋有硬掩模層的中間阻擋層上的硅基底部分形成金屬溝槽。

2.如權(quán)利要求1所述過孔和金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述步驟2填充的底層抗反射膜的厚度等于所述硬掩模層的厚度。

3.如權(quán)利要求1所述過孔和金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述過孔部分底層抗反射膜的蝕刻采用源功率為600瓦，偏置功率為200瓦，采用的蝕刻介質(zhì)為四氟化碳和氧氣。

4.如權(quán)利要求3所述過孔和金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述四氟化碳的流量為50標(biāo)況毫升每分，氧氣的流量為5標(biāo)況毫升每分。

5.如權(quán)利要求1所述過孔和金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述過孔部分中間阻擋層上硅基底及過孔部分硅基底中間阻擋層采用第一主蝕刻去除，所述第一主蝕刻采用的源功率為2400瓦，偏置功率為1800瓦，采用的蝕刻介質(zhì)為氬氣、氧氣、一氧化碳及八氟環(huán)丁烷，所述氬氣的流量為400標(biāo)況毫升每分，所述氧氣的流量為11標(biāo)況毫升每分，所述一氧化碳流量為150標(biāo)況毫升每分，所述八氟環(huán)丁烷的流量為16標(biāo)況毫升每分。

6.如權(quán)利要求1所述過孔和金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述過孔部分中間阻擋層下硅基底采用過刻蝕去除，所述過刻蝕采用源功率為2400瓦，偏置功率為1800瓦，采用的蝕刻介質(zhì)為氧氣、一氧化碳和八氟環(huán)丁烷，所述氧氣的流量為10標(biāo)況毫升每分，所述一氧化碳的流量為150標(biāo)況毫升每分，所述八氟環(huán)丁烷的流量為16標(biāo)況毫升每分。

7.如權(quán)利要求1所述過孔和金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述步驟4中光阻及底層抗反射膜的去除采用氧化蝕刻去除。

8.如權(quán)利要求7所述過孔和金屬溝槽的制作方法，其特征在于，氧化蝕刻采用的源功率為300瓦，偏置功率為100瓦，采用的蝕刻介質(zhì)為氧氣，所述氧氣的流量為500標(biāo)況毫升每分。

9.如權(quán)利要求1所述過孔和金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述步驟4中蝕刻掉未覆蓋有硬掩模層的中間阻擋層上的硅基底部分采用第二主蝕刻去除，所述第二主蝕刻采用的源功率為2400瓦，偏置功率為1800瓦，采用的蝕刻介質(zhì)為氧氣、一氧化碳和八氟環(huán)丁烷，所述氧氣的流量為3標(biāo)況毫升每分，所述一氧化碳的流量為150標(biāo)況毫升每分，所述八氟環(huán)丁烷的流量為13標(biāo)況毫升每分。