[發明專利]一種金屬溝槽的制作方法

有效

• 申請號: 200810037680.9
• 申請日: 2008-05-20
• 公開（公告）號: CN101587853A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 周鳴;尹曉明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.一種金屬溝槽的制作方法，所述金屬溝槽的制作是基于預先制作好過孔的硅基底制作，所述硅基底具有底部阻擋層和中間阻擋層，其特征在于，包括以下步驟：a、在所述硅基底的過孔內填充大于標準高度的底層抗反射膜；b、在所述硅基底上涂敷光阻，蝕刻未涂敷光阻的硅基底中間阻擋層以上的介質；c、進一步蝕刻，去除中間阻擋層上殘留的介質；

所述步驟b的蝕刻包括：主蝕刻去掉所述底層抗反射膜未保護的中間阻擋層以上的部分介質；去除所述硅基底上光阻；過蝕刻去掉所述底層抗反射膜保護的中間阻擋層以上的部分介質。

2.如權利要求1所述的金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述硅基底未制作過孔的表面部分具有一層硬掩模層。

3.如權利要求1所述的金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述主蝕刻采用的蝕刻氣體為四氟化碳和氧氣。

4.如權利要求1所述的金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述過蝕刻采用的蝕刻氣體為八氟環丁烷，氧氣和一氧化碳。

5.如權利要求1所述的金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述底層抗反射膜的標準高度為保護中間阻擋層及中間阻擋層以下介質的底層抗反射膜的高度。

6.如權利要求1所述的金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述步驟c進一步蝕刻采用的蝕刻氣體是八氟環丁烷和氧氣。

7.如權利要求1所述的金屬溝槽的制作方法，其特征在于，所述方法還包括步驟d：去除底層抗反射膜。