[發明專利]一種優化金屬溝槽制作的方法

有效

• 申請號: 200810037679.6
• 申請日: 2008-05-20
• 公開（公告）號: CN101587852A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 周鳴;尹曉明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.一種優化金屬溝槽制作的方法，所述金屬溝槽制作在硅基底，所述硅基底具有中間阻擋層和底部阻擋層，且制作好過孔；其特征在于，優化金屬溝槽制作的方法包括以下步驟：a、在未預制作所述金屬溝槽的硅基底上涂敷光阻，所述過孔內填充光阻，過孔內填充的光阻的高度大于所述硅基底中間阻擋層距底部阻擋層之間的距離；b、主蝕刻掉預制作金屬溝槽中光阻未保護的部分硅基底，去除步驟a增加的光阻；c、過蝕刻掉預制作金屬溝槽中中間阻擋層上剩余的部分硅基底。

2.如權利要求1所述優化金屬溝槽制作的方法，其特征在于，所述硅基底未制作過孔的表面覆蓋有硬掩模層。

3.如權利要求2所述優化金屬溝槽制作的方法，其特征在于，所述硬掩模層材料為氮氧化硅材料。

4.如權利要求1所述優化金屬溝槽制作的方法，其特征在于，所述去除步驟a增加的光阻采用等離子體刻蝕去除，采用刻蝕介質為氧氣。

5.如權利要求1所述優化金屬溝槽制作的方法，其特征在于，所述主蝕刻為等離子體蝕刻，蝕刻介質采用乙氟烷和一氧化碳。

6.如權利要求1所述優化金屬溝槽制作的方法，其特征在于，所述過刻蝕為等離子體蝕刻，蝕刻介質采用一氧化碳，氬氣和八氟環丁烷。

7.如權利要求1所述優化金屬溝槽制作的方法，其特征在于，所述硅基底材料為非摻雜硅玻璃，所述中間阻擋層和底部阻擋層為氮化硅材料。