[發明專利]一種減小MOS器件導通電阻測試值的方法有效
| 申請號： | 200810037678.1 | 申請日： | 2008-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN101587148A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發明（設計）人： | 龐娟;黃瑩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G01R27/02 | 分類號： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈 蘅;李時云 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減小 mos 器件 通電 測試 方法 | ||
1.一種減小MOS器件導通電阻測試值的方法，所述MOS器件包括若干源端管腳和漏端管腳，所述MOS器件的管腳均具有內加載線和內測試線；所述MOS器件數個管腳內部打有金屬引線；所述MOS器件源端管腳與測試裝置的一外加載線和一外測試線連接，所述MOS器件漏端管腳與測試裝置的另一外加載線和另一外測試線連接，其特征在于，所述數個管腳的內加載線與所述測試裝置的第一外加載線連接，對應地，其內測試線與所述測試裝置的第一外測試線連接；所述未打有金屬引線的管腳的內加載線與所述測試裝置的第二外加載線連接，對應地，其內測試線與所述測試裝置的第二外測試線連接。
2.如權利要求1所述減小MOS器件導通電阻測試值的方法，其特征在于，所述內部打有金屬引線的管腳為所述MOS器件的源端管腳，所述未打有金屬引線與所述測試裝置的第二外加載線連接的管腳為所述MOS器件的漏端管腳。
3.如權利要求1所述減小MOS器件導通電阻測試值的方法，其特征在于，所述測試裝置的兩外加載線分別為高電位外加載線和低電位外加載線，所述測試裝置的兩外測試線分別為高電位外測試線和低電位外測試線。
4.如權利要求3所述減小MOS器件導通電阻測試值的方法，其特征在于，所述高電位外加載線為所述測試裝置的第一外加載線，所述高電位外測試線為所述測試裝置的第一外測試線；所述低電位外加載線為所述測試裝置的第二外加載線，所述低電位外測試線為所述測試裝置的第二外測試線。
5.如權利要求3所述減小MOS器件導通電阻測試值的方法，其特征在于，所述高電位外加載線為所述測試裝置的第二外加載線，所述高電位外測試線為所述測試裝置的第二外測試線；所述低電位外加載線為所述測試裝置的第一外加載線，所述低電位外測試線為所述測試裝置的第一外測試線。
6.一種減小MOS器件導通電阻測試值的方法，所述MOS器件包括數個源端管腳和漏端管腳，所述MOS器件的管腳均具有內加載線和內測試線；所述MOS器件數個管腳內部打有金屬引線；所述MOS器件源端管腳與測試裝置的一外加載線和一外測試線連接，所述MOS器件漏端管腳與測試裝置的另一外加載線和另一外測試線連接，其特征在于，所述數個管腳的內加載線與所述測試裝置的第一外加載線連接，預留其一管腳的內測試線與所述測試裝置的第一外測試線連接，余下管腳內測試線與所述測試裝置的第一外加載線連接；所述未打有金屬引線的管腳的內加載線與所述測試裝置的第二外加載線連接，對應地，其內測試線與所述測試裝置的第二外測試線連接。
7.如權利要求6所述減小MOS器件導通電阻測試值的方法，其特征在于，所述內部打有金屬引線的管腳為所述MOS器件的源端管腳，所述未打有金屬引線與所述測試裝置的第二外加載線連接的管腳為所述MOS器件的漏端管腳。
8.如權利要求6所述減小MOS器件導通電阻測試值的方法，其特征在于，所述測試裝置的兩外加載線分別為高電位外加載線和低電位外加載線，所述測試裝置的兩外測試線分別為高電位外測試線和低電位外測試線。
9.如權利要求8所述減小MOS器件導通電阻測試值的方法，其特征在于，所述高電位外加載線為所述測試裝置的第一外加載線，所述高電位外測試線為所述測試裝置的第一外測試線；所述低電位外加載線為所述測試裝置的第二外加載線，所述低電位外測試線為所述測試裝置的第二外測試線。
10.如權利要求8所述減小MOS器件導通電阻測試值的方法，其特征在于，所述高電位外加載線為所述測試裝置的第二外加載線，所述高電位外測試線為所述測試裝置的第二外測試線；所述低電位外加載線為所述測試裝置的第一外加載線，所述低電位外測試線為所述測試裝置的第一外測試線。
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