[發明專利]用于光刻機的調焦調平裝置及測量方法

有效

• 申請號: 200810037245.6
• 申請日: 2008-05-09
• 公開（公告）號: CN101276160A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 廖飛紅;陳飛彪;李小平;程吉水;李志科
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司;華中科技大學
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈蘅;李時云

1、一種硅片調焦調平測量裝置，其測量光路分布于投影物鏡光軸的兩側，包括依次以光路連結的照明單元、投影單元、成像單元及探測單元，其中照明單元主要由光源、透鏡組及光纖組成；投影單元主要由反射鏡組、狹縫陣列及透鏡組組成；成像單元主要由反射鏡組、透鏡組及平行偏轉補償板組成；其特征在于：探測單元包括分光器和與其以光路連結的精測光路及粗測光路，所述分光器將成像單元射出的光束按光強分成兩束，一束進入精測單元，一束進入粗測單元，精測光路包括以光路連結的一只掃描反射鏡、一個探測狹縫陣列、光電探測器陣列；而粗測光路則包括一只放大透鏡組和若干只探測器。

2、根據權利要求1所述的硅片調焦調平裝置，其特征在于：光束經過成像單元后，在硅片表面形成等距的光斑陣列，該光斑陣列可以為4×4或5×5或6×6或7×7或8×8或9×9光斑陣列。

3、根據權利要求1所述的硅片調焦調平裝置，其特征在于：光束經粗測光路后，有多列光斑成像在對應的探測器上。

4、根據權利要求3所述的硅片調焦調平裝置，其特征在于：至少有兩列光斑成像在所述探測器上。

5、根據權利要求1～4中任一項所述的硅片調焦調平裝置，其特征在于：所述探測器為CCD探測器或PSD探測器。

6、一種硅片調焦調平測量方法，根據粗測結果和精測結果來判斷調焦調平裝置測量結果，其步驟包括：如果粗測單元測量在精測范圍內，則精測結果有效；反之，則粗測結果有效。

7、根據權利要求6所述的硅片調焦調平測量方法，其特征在于，對于探測器為CCD型探測，則粗測單元的輸出信號采用的信號處理步驟依次為：CCD圖像采集，圖像預處理，圖像分割、判斷偏移方向，圖像處理、非線性補償，坐標系轉換。

8、根據權利要求6所述的硅片調焦調平測量方法，其特征在于，對于探測器材用PSD型探測器，則粗測單元的輸出信號采用的信號處理步驟依次為：信號預處理、非線性補償、線性化和坐標系轉換。