[發(fā)明專利]殘留物的去除方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810036585.7
• 申請(qǐng)日: 2008-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN101567300A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李強(qiáng);丁士成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/306
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈 蘅;李時(shí)云

1.一種殘留物的去除方法，用于在晶圓上制作不同厚度的柵氧化層的工藝中，所述在晶圓上制作不同厚度的柵氧化層的工藝是指，在晶圓上制作輸入輸出器件和核心器件，所述工藝包括：

在輸入輸出器件和核心器件表面第一次形成一層厚度均勻的氧化層；

在氧化層上涂光刻膠，然后進(jìn)行曝光、顯影，去除核心器件位置處的光刻膠，僅輸入輸出器件表面的氧化層被光刻膠覆蓋保護(hù)；

進(jìn)行濕法蝕刻，采用酸性溶液蝕刻掉未被光刻膠保護(hù)的氧化層，即去掉核心器件對(duì)應(yīng)的氧化層；

采用去離子水進(jìn)行清洗步驟將殘留在晶圓表面的溶液、顆粒去除，然后進(jìn)行干燥步驟；

其特征在于，還包括，在所述干燥步驟之后采用酸性溶液清洗晶圓暴露在空氣中形成的表面殘留物；

之后進(jìn)行清洗以及干燥步驟，并去除剩余的光刻膠，最后在輸入輸出器件和核心器件表面第二次形成一層厚度均勻的氧化層。

2.如權(quán)利要求1所述的殘留物的去除方法，其特征在于，在所述干燥步驟之后采用的酸性溶液是具有緩沖作用的氧化物蝕刻液。

3.如權(quán)利要求1所述的殘留物的去除方法，其特征在于，在所述干燥步驟之后采用的酸性溶液由氟化氨、氫氟酸以及表面活性劑混合而成。

4.如權(quán)利要求3所述的殘留物的去除方法，其特征在于，氟化氨、氫氟酸以及表面活性劑的體積比為：130∶1∶7。

5.如權(quán)利要求1所述的殘留物的去除方法，其特征在于，清洗時(shí)間為10秒。