[發明專利]一種p型半導體摻鎳氧化銅靶材及其制備方法有效
| 申請號： | 200810036561.1 | 申請日： | 2008-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101260507B | 公開（公告）日： | 2008-09-10 |
| 發明（設計）人： | 張群;施展;楊銘;王穎華 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 氧化銅 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種p型半導體摻鎳氧化銅靶材，其特征在于：由氧化銅和氧化鎳粉末按Cu1-xNixO，x＝0.01～0.15配比，經燒結而成，p型導電，其最高電導率達到3.9×10-3S·cm-1。
2.一種p型半導體摻鎳氧化銅靶材的制備方法，其特征在于具體步驟如下：將純度為99.8％以上的CuO粉末與純度為99％以上的NiO粉末，按Cu1-xNixO，x＝0.01～0.15，成分比例混合研磨，用粉末壓片機在壓強為12-18MPa下干壓成型；然后將靶材送入管式電阻爐中進行燒結處理，爐中通入高純N2作為保護氣體，爐溫從室溫升高到燒結溫度800-1000℃，保溫10-15小時，然后自然冷卻到280-320℃，取出靶材；敲碎后再次研磨，用粉末壓片機在18-22MPa下壓制成形，再在管式電阻爐中進行燒結處理，重復上述條件制備得陶瓷靶材。
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