[發(fā)明專利]用于有源矩陣電致發(fā)光器件的像素電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810035680.5
• 申請日: 2008-04-07
• 公開（公告）號: CN101256738A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設計）人: 李俊峰;張曉建
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

技術領域

本發(fā)明涉及一種像素電路，更具體的說涉及一種用于有源矩陣電致發(fā)光器件的像素電路。

背景技術

在玻璃基板上制作的用于有源(AM)驅動OLED(有機薄膜電致發(fā)光顯示器件)的器件，目前基本上有兩種，即非晶硅(a-Si)薄膜晶體管(TFT)與低溫多晶硅(LTPS)TFT。TFT器件長時間工作在一定的電壓偏置狀態(tài)下會發(fā)生器件特性的漂移。如果不采取某種措施處理這種漂移，發(fā)生特性漂移的器件驅動OLED的電流下降，顯示器件亮度降低，會導致器件過早失效。在AMOLED中驅動OLED的TFT在工作過程中處于某種偏置狀態(tài)，會發(fā)生特性漂移。通常對于閾值電壓(VTH)而言是其數(shù)值升高。因此，在AMOLED中，必須進行特殊的處理，以應對TFT器件衰減問題。

圖1是一種現(xiàn)有技術的像素電路結構示意圖。行掃描信號Gn控制第一TFT?T1導通將信號電壓DAT傳輸?shù)降诙FT?T2的柵電極上，并依靠存儲電容C1保持該電壓信號。T2柵極的電壓狀態(tài)決定了T2的導通狀態(tài)，從而控制合適的電流從電源線VDD經(jīng)由T2提供給發(fā)光二極管D1發(fā)光。在T2特性發(fā)生漂移的時候，同樣的數(shù)據(jù)電壓，T2的導通狀態(tài)不同，提供給D1的電流也不一樣。因此，在發(fā)生特性漂移以后，OLED中D1的像素顯示亮度下降。說明該像素電路不能抑制驅動TFT的特性漂移。

圖2是一種現(xiàn)有技術的像素電路結構及其驅動信號時序圖。該電路利用兩個TFT?T2a與T2b交替驅動OLED。交替驅動對單個器件而言直接驅動OLED的時間減短了，對整個顯示器件而言兩個TFT總體的效果是壽命得以延長。另外，由于TFT器件存在一定的機制可以使產(chǎn)生了漂移的器件特性發(fā)生一定程度的恢復，這種間斷式驅動比連續(xù)驅動方式可以在相同累積偏置時間的情況下減小單個器件特性漂移的程度，從另一個方面延長了顯示器件的壽命。

但是，上述圖2所示電路有一個明顯的缺點，即使是不為OLED供電的驅動TFT(T2a或T2b)，與供電的驅動TFT(T2a或T2b)具有相同的VGS偏置，實際上在驅動TFT不驅動OLED的時間，也承受與供電TFT相同的VGS偏壓，特性仍然會發(fā)生漂移。雖然T2a與T2b是以間斷的方式驅動OLED，但是其VGS偏壓并不間斷，特性漂移也不間斷，對器件壽命延長的效果受到限制。

因此，如果能夠實現(xiàn)兩個TFT交替驅動OLED，并且使不驅動OLED的TFT支路中的TFT器件VGS偏置降低甚至消失，將會有效改善AMOLED器件的壽命。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目在于提供一種用于有源矩陣電致發(fā)光器件的像素電路，該電路改變驅動有機發(fā)光顯示器件的TFT處于持續(xù)性VGS正向偏置，改變特性漂移速度快而導致AMOLED壽命過短的問題。

為達到上述目的，本發(fā)明提供了一種用于有源矩陣電致發(fā)光器件的像素電路，利用兩個TFT支路交替驅動OLED，使得每一個支路在不向OLED提供電流的時間內，消除驅動TFT上的VGS偏壓；驅動OLED的TFT在不供給OLED電流的時間，使其VGS偏置降到0V附近或者使其值為負值，以加速TFT特性漂移后在一定程度上發(fā)生的特性恢復。

本發(fā)明提出的實現(xiàn)上述方案的基本電路結構如圖3(a)所示，本發(fā)明像素電路引入了兩個控制信號BS1與BS2(Branch?Select?Control)，分別連接到TFT?TB1與TB2的柵電極，控制其導通與否。TB1與TB2分別串聯(lián)于驅動TFT?TD1與TD2上。TD1與TB1構成驅動OLED的第一TFT支路，TD2與TB2構成驅動OLED的第二TFT支路。存儲電容Cst耦合于驅動TFTTD1/TD2的柵電極與電源引線之間用于保持信號，T1有行掃描線Gn控制，用于在合適的時候將像素信號電壓VDAT寫入TD1和TD2的柵極。