[發明專利]探針誘導光刻薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 200810035321.X
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101256353A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 李小剛;洪小剛;趙成強;王陽;徐文東;唐曉東
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/075;G03F7/004;C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 張澤純

1、一種用于探針誘導表面等離子體共振光刻的探針誘導光刻薄膜，特征在于其結構由沉積于玻璃基底(4)上的直寫光刻材料層(1)、介質層(2)和表面等離子體共振層(3)組成，所述的直寫光刻材料層由AgO_x或NiO_y組成；所述的介質層由SiO₂組成；所述的表面等離子體共振層由Ag組成。

2、根據權利要求1所述的探針誘導光刻薄膜，其特征在于所述的直寫光刻材料層的AgO_x，其中x≤1，通過控制磁控濺射所采用的O₂∶Ar氣體流量比來實現的，AgO_x的成分是Ag、AgO和Ag₂O的混合物。

3、根據權利要求1所述的探針誘導光刻薄膜，其特征在于所述的直寫光刻材料層的NiO_y，其中y≤3/2，是通過控制磁控濺射時的O₂∶Ar氣體流量比來實現的，其成分是NiO和Ni₂O₃的混合物。

4、根據權利要求1、2或3所述的探針誘導光刻薄膜，其特征在于所述的直寫光刻材料層的厚度為10-100nm。

5、根據權利要求1所述的探針誘導光刻薄膜，其特征在于所述的介質層的厚度為10-80nm。

6、根據權利要求1所述的探針誘導光刻薄膜，其特征在于所述的表面等離子體共振層的厚度為20-100nm。

7、權利要求1所述的探針誘導光刻薄膜的制備方法，其特征在于是采用磁控濺射的方法制備，濺射工作氣壓優于1.0×10^-3Pa，在高折射率玻璃基底(4)上依次分別采用直流濺射、射頻濺射和反應性直流濺射鍍制：表面等離子體共振層(3)、介質層(2)和直寫光刻材料層(1)，其中直寫光刻材料層的AgO_x，x≤1，通過控制磁控濺射所采用的O₂∶Ar氣體流量比來實現的，AgO_x的成分是Ag、AgO和Ag₂O的混合物；所述的直寫光刻材料層的NiO_y，y≤3/2，是通過控制磁控濺射時的O₂∶Ar氣體流量比來實現的，其成分是NiO和Ni₂O₃的混合物。