[發明專利]晶片拋光方法與晶片拋光設備

無效

• 申請號: 200810035252.2
• 申請日: 2008-03-27
• 公開（公告）號: CN101256952A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 薛松生
• 申請（專利權）人: 薛松生
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 上海天翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉粉寶

1.一種晶片拋光方法，利用離子或等離子光束對晶片表面進行蝕刻從而達到拋光效果，其特征在于，包括以下步驟：

確定晶片表面各點需蝕刻的厚度；

響應所述需蝕刻的厚度并結合離子或等離子蝕刻率計算出各點需蝕刻的時間；

通過離子或等離子光束發生器產生離子或等離子光束對一蝕刻點進行蝕刻，當達到所述蝕刻時間后，移動所述晶片，對下一蝕刻點進行蝕刻。

2.如權利要求1所述的離子或等離子拋光方法，其特征在于，可通過以下步驟確定晶片表面各點需蝕刻的厚度：

測定晶片表面各點的厚度；

計算所述各點厚度與規定達到的厚度之間的差值，從而確定需蝕刻的厚度。

3.如權利要求1所述的離子或等離子拋光方法，其特征在于：所述離子或等離子蝕刻率通過離子或等離子類型，需蝕刻的材料，離子或等離子光束發生器的功率以及所述離子或等離子光束在晶片表面聚焦的光斑大小來確定。

4.如權利要求3所述的離子或等離子拋光方法，其特征在于：可通過在豎直方向移動所述離子或等離子光束發生器來調節所述離子或等離子光束的光斑大小，所述光斑的調節范圍下于10mm。

5.如權利要求1所述的離子或等離子拋光方法，其特征在于：所述離子或等離子光束在水平方向上固定，通過在水平方向上移動所述晶片，對晶片表面各點進行蝕刻。

6.如權利要求1所述的離子或等離子拋光方法，其特征在于：所述離子或等離子光束為非反應離子或等離子束Ar、Ne、Kr或Xe。

7.如權利要求1所述的離子或等離子拋光方法，其特征在于：所述離子或等離子光束為反應離子或等離子束CH₃、CF₄、SF₆、NF₃、N₂、O₂或BCl₃。

8.如權利要求1所述的離子或等離子拋光方法，其特征在于：通過反射計、偏振光橢圓率測量儀、超聲波或X射線來測定所述晶片表面各點的厚度。

9.一種晶片拋光設備，其特征在于，包括：

離子或等離子光束發生器，用于產生離子或等離子光束對所述晶片進行蝕刻；

移動平臺，用于放置所述晶片，并在蝕刻過程中進行移動；

控制器，與所述離子或等離子發生器與移動平臺連接，響應需蝕刻的厚度并結合離子或等離子蝕刻率計算出各點需蝕刻的時間，并控制所述移動平臺按照所述需蝕刻的時間進行移動。

10.如權利要求9所述的晶片拋光設備，其特征在于：所述晶片拋光設備還包括一晶片厚度測定器，與所述控制器相連接，用于測定待處理晶片表面各點的厚度，并反饋給所述控制器，由所述控制器計算所述各點厚度與規定達到的厚度之間的差值從而確定需蝕刻的厚度。