[發(fā)明專利]多晶硅柵表面的清洗方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810035118.2
• 申請(qǐng)日: 2008-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN101252083A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫震海;韓瑞津;湯志偉;郭國(guó)超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈蘅

1.一種多晶硅柵表面的清洗方法，其應(yīng)用于在多晶硅柵表面沉積硅化鎢層之前，其特征在于，所述清洗方法包括：采用氟化氫清洗多晶硅柵表面；采用硫酸與雙氧水的混合物清洗多晶硅柵表面。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅柵表面的清洗方法，其特征在于，所述采用氟化氫清洗多晶硅柵表面的步驟是：首先將含有水汽的氮?dú)夂头瘹漭斎敕磻?yīng)腔內(nèi)；氟化氫與多晶硅柵表面的自然氧化層發(fā)生反應(yīng)以將其蝕刻掉。

3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅柵表面的清洗方法，其特征在于，所述氮?dú)夂头瘹涞谋壤?8∶1。

4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅柵表面的清洗方法，其特征在于，所述硫酸和雙氧水的混合物的比例是4∶1。