[發(fā)明專利]雙光束在線實(shí)時(shí)測(cè)量光學(xué)薄膜應(yīng)力的裝置及其測(cè)量方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810034820.7 | 申請(qǐng)日: | 2008-03-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101251472A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱冠超;方明;申雁鳴;易葵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N21/17 | 分類號(hào): | G01N21/17;G01B11/06;G06F19/00 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 張澤純 |
| 地址: | 201800上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光束 在線 實(shí)時(shí) 測(cè)量 光學(xué)薄膜 應(yīng)力 裝置 及其 測(cè)量方法 | ||
1.一種雙光束在線實(shí)時(shí)測(cè)量光學(xué)薄膜應(yīng)力的裝置,其特征在于該裝置包括半導(dǎo)體激光器(1)、由分束鏡(2)與第一反射鏡(3)和第二反射鏡(4)組合而成的雙光束分束準(zhǔn)直器、第三反射鏡(5)、具有晶控探頭(7)的晶控儀(8)、位敏光電探測(cè)器(11)、A/D采集卡(10)和計(jì)算機(jī)(9),其位置關(guān)系如下:在鍍膜機(jī)外設(shè)置所述的半導(dǎo)體激光器(1)、雙光束分束準(zhǔn)直器,晶控儀(8)、位敏光電探測(cè)器(11)、A/D采集卡(10)和計(jì)算機(jī)(9),在真空室內(nèi)安設(shè)待測(cè)的鍍膜基片(6)、所述的第三反射鏡(5)和晶控探頭(7),使所述的半導(dǎo)體激光器(1)的出射光經(jīng)所述的雙光束分束準(zhǔn)直器后變成兩束平行光,由鍍膜機(jī)真空室的觀察窗口照射到待測(cè)的鍍膜基片(6)表面,其反射光經(jīng)所述的第三反射鏡(5)反射后從所述的觀察窗口出射到真空室外的位敏光電探測(cè)器(11)上,該位敏光電探測(cè)器(11)探測(cè)的反射光位移偏轉(zhuǎn)量由A/D采集卡(10)輸入到計(jì)算機(jī)(9);同時(shí)所述的晶控探頭(7)實(shí)時(shí)記錄鍍制光學(xué)薄膜過(guò)程中薄膜厚度和沉積速率的變化,由所述的晶控儀(8)輸入所述的計(jì)算機(jī)(9)。
2.利用權(quán)利要求1所述的雙光束在線實(shí)時(shí)測(cè)量光學(xué)薄膜應(yīng)力裝置進(jìn)行光學(xué)薄膜應(yīng)力測(cè)量的方法,其特征在于包括下列步驟:
①按權(quán)利要求1所述的雙光束在線實(shí)時(shí)測(cè)量光學(xué)薄膜應(yīng)力裝置中各元器件的位置關(guān)系安裝各元器件和待測(cè)的鍍膜基片(6);調(diào)整光路,使所述的半導(dǎo)體激光器(1)的出射光經(jīng)所述的雙光束分束準(zhǔn)直器后變成兩束平行光,由鍍膜機(jī)真空室的觀察窗口照射到待測(cè)的鍍膜基片(6)表面的中心對(duì)稱位置上,其反射光經(jīng)所述的第三反射鏡(5)反射后從所述的觀察窗口出射到真空室外的位敏光電探測(cè)器(11)上;
②在鍍膜開(kāi)始前,先在計(jì)算機(jī)的軟件系統(tǒng)主界面上點(diǎn)擊初始化按鈕,設(shè)定所述的鍍膜基片的彈性模量、泊松比、厚度、入射的雙光束的束寬、入射角度和反射光程,同時(shí)設(shè)置晶控儀(8)的串口號(hào);
③在鍍膜開(kāi)始時(shí),點(diǎn)擊主界面的開(kāi)始按鈕,計(jì)算機(jī)(9)開(kāi)始采集數(shù)據(jù):由USB接口獲得的位敏光電探測(cè)器(11)上光斑位置的信息,通過(guò)串口獲得的晶控儀(8)上薄膜實(shí)時(shí)厚度和鍍膜沉積速率的信息,在整個(gè)鍍膜過(guò)程中,計(jì)算機(jī)根據(jù)下列公式進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,并實(shí)時(shí)繪制光學(xué)薄膜應(yīng)力變化曲線和位移變化曲線,實(shí)時(shí)保存并顯示光束偏轉(zhuǎn)位移、應(yīng)力大小、鍍膜時(shí)間、薄膜厚度和沉積速率
式中:σ是薄膜應(yīng)力,D0為光束的寬度,d為光束的寬度變化的增量,α為光束的入射角,L為反射光程,Es為彈性模量,γs為泊松比,ts為基片厚度,tf為薄膜厚度;
④鍍膜結(jié)束后,點(diǎn)擊軟件系統(tǒng)主界面上的退出按鈕,計(jì)算機(jī)(9)即停止采集數(shù)據(jù),并退出程序。
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G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
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