[發明專利]單芯片射頻功率放大器

無效

• 申請號: 200810034778.9
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101252342A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 周俊;馮珅;施鐘鳴
• 申請（專利權）人: 上海士康射頻技術有限公司
• 主分類號: H03F3/213
• 分類號: H03F3/213;H01L27/02;H01L27/06;H01L23/48
• 代理公司: 上海光華專利事務所
• 代理人: 余明偉

1.一種單芯片射頻功率放大器，其特征在于在單芯片上集成有如下部件：

工作在A類且用于放大輸入信號的輸入級，所述輸入級包含用作電壓偏置的偏置電阻；

工作在AB類且通過耦合電容與所述輸入級相連接、用于將所述輸入級輸出的信號再次放大的推動級，所述推動級也包含用作電壓偏置的偏置電阻；

工作在C類且通過耦合電容與所述推動級相連接、用于將所述推動級輸出的信號放大輸出的輸出級；

與所述輸入級相連接的信號輸入焊盤、向輸入級的偏置電阻提供電壓的第一柵偏置電壓輸入焊盤及第一接地焊盤；

向推動級的偏置電阻提供偏置的第二柵偏置電壓輸入焊盤及第二接地焊盤；

與所述輸出級相連接的信號輸出焊盤、向輸出級的偏置電阻提供電壓的第三柵偏置電壓輸入焊盤及第三接地焊盤；

其中，所述輸出級包含的放大管的尺寸根據其連接的負載所確定，進而根據所述輸出級的飽和輸入功率確定所述推動級所包含的放大管的尺寸。

2.如權利要求1所述的單芯片射頻功率放大器，其特征在于：所述輸入級、推動級及輸出級各自包含的放大管都為采用LDMOS工藝制作的場效應管。

3.如權利要求2所述的單芯片射頻功率放大器，其特征在于：在所述單芯片上還集成有電阻電容串聯的并聯電壓負反饋電路，所述并聯電壓反饋電路連接在所述推動級包含的場效應管的漏極和柵極之間。

4.如權利要求1所述的單芯片射頻功率放大器，其特征在于：所述信號輸入焊盤和信號輸出焊盤分別位于所述單芯片的相對兩側。

5.如權利要求1或4所述的單芯片射頻功率放大器，其特征在于：所述信號輸出焊盤為4個。

6.如權利要求1所述的單芯片射頻功率放大器，其特征在于：所述第一柵偏置電壓焊盤、第二柵偏置電壓焊盤及第三柵偏置電壓焊盤與地之間分別連接有防靜電保護二極管。

7.如權利要求1所述的單芯片射頻功率放大器，其特征在于還包括：在所述芯片上具有單獨的接地焊盤及單獨的電源焊盤的防靜電保護電路。

8.如權利要求7所述的單芯片射頻功率放大器，其特征在于：所述第一接地焊盤、第二接地焊盤及第三接地焊盤都采用Downbond結構，即各接地焊盤都連接到所述防靜電保護電路路的接地焊盤上。

9.如權利要求1所述的單芯片射頻功率放大器，其特征在于：所述單芯片射頻功率放大器為用于對講機、對講手機或數據通訊的射頻功率放大器。