[發明專利]薄型四側扁平無引腳封裝方法有效
| 申請號: | 200810034572.6 | 申請日: | 2008-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN101533783A | 公開(公告)日: | 2009-09-16 |
| 發明(設計)人: | 譚小春;李志寧;蔣曉蘭 | 申請(專利權)人: | 上海凱虹電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) | 代理人: | 翟 羽 |
| 地址: | 201612上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄型四側 扁平 引腳 封裝 方法 | ||
1.一種薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,包括如下步驟:
采用第一涂覆物質涂覆晶圓的第一表面,即背面,形成連續的覆蓋層;
將晶圓切割成若干個分立的半導體晶粒,每一個分立的半導體晶粒的表面都具有從上述連續覆蓋層中切割下來的覆蓋層;
將若干個分立的半導體晶粒的覆蓋層貼裝在一個粘性膜的表面上;
采用第二涂覆物質涂覆粘性膜表面上方暴露的表面,第二涂覆物質將貼裝在粘性表面的半導體晶粒包攏在一起,形成一個整塊的封裝體;
切割上述整塊的封裝體,得到若干個獨立的封裝完畢的半導體晶粒。
2.根據權利要求1所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,所述粘性膜表面貼有引線框架,將分立的半導體晶粒的覆蓋層貼裝在貼裝表面上的步驟包括分別將每一個半導體晶粒單獨置于引線框架的框體內。
3.根據權利要求1所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,進一步包括如下步驟:
采用引線鍵合的方法將分立半導體晶粒表面的導電觸點同對應的引線框架上的導電引腳相連接,所述引線框架與分立半導體晶粒覆蓋層均貼裝在粘性膜上。
4.根據權利要求1所述的薄型四側無引腳封裝方法,其特征在于,所述涂覆粘性膜表面上方暴露的表面的步驟包括涂覆暴露的分立半導體晶粒表面與引線框架,所述引線框架的一部分與分立半導體晶粒表面覆蓋層的一部分被貼裝在粘性膜表面上,上述被貼裝的部分是不暴露出來的。
5.根據權利要求1所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,所述第一涂覆物質與第二涂覆物質的材料是相同的。
6.根據權利要求1所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,所述第二涂覆物質與第一涂覆物質的一部分相融合。
7.根據權利要求1所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,所述第二涂覆物質與第一涂覆物質的一部分粘附在一起。
8.一種薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,包括如下步驟:
將晶圓的第一表面,即正面,與第一粘性表面,即藍膜,貼裝在一起;
在晶圓的第二表面,即背面,生長金屬層,使晶圓的表面成為金屬;
通過晶圓的劃片槽切割晶圓,從而形成分立的半導體晶粒,每一個分立的半導體晶粒均具有由上一步驟所形成的金屬表面;
將分立半導體晶粒的金屬表面同第二粘性表面,即框架上粘性膜表面,貼裝在一起,從而使金屬表面不再暴露在外面;
引線鍵合;
涂覆第二粘性表面上方暴露的表面,形成一個整塊的塑封體;
切割上述整塊的塑封體,得到若干個獨立的封裝完畢的半導體晶粒。
9.根據權利要求8所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,進一步包括如下步驟:
在所述晶圓的第二表面上進行切割,從而形成凹槽;
所述之生長金屬層的步驟可以在第二表面上形成一個可辨認的溝道,從而提供了一個用來進行對準操作的表面。
10.根據權利要求8所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,進一步包括如下步驟:
在所述通過晶圓的劃片槽切割晶圓的步驟之前,沿著晶圓第二表面的切割槽切割晶圓,從而形成一個高度小于晶圓厚度的第一切割槽。
11.根據權利要求10所述的方形扁平無引腳封裝方法,其特征在于,所述對晶圓的第二次切割產生的第二切割槽的寬度小于第一切割槽的寬度,從而在切割的位置形成臺階。
12.根據權利要求8所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,所述第一粘性表面由第一晶圓貼膜提供,第一晶圓貼膜具有一定的厚度,所述對晶圓進行切割時,也對第一晶圓貼膜的一部分進行切割。
13.根據權利要求8所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,所述引線框架與第二粘貼表面貼裝在一起,所述將分立半導體晶粒的金屬表面粘貼在第二粘性表面包括分別將每一個半導體晶粒單獨置于引線框架的框體內。
14.根據權利要求13所述的薄型四側扁平無引腳封裝方法,其特征在于,所述涂覆第二粘性表面上方暴露的表面的步驟,包括涂覆暴露的分立半導體晶粒表面與引線框架,所述引線框架的一部分與分立半導體晶粒的金屬表面的一部分被貼裝在粘性表面上,上述被貼裝的部分是不暴露出來的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





