[發明專利]薄膜晶體管陣列基板的制造方法無效
| 申請號： | 200810034385.8 | 申請日： | 2008-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN101236932A | 公開（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發明（設計）人： | 高孝裕 | 申請（專利權）人： | 上海廣電光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/84 | 分類號： | H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人： | 白璧華 |
| 地址： | 200233上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 陣列 制造 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括以下步驟：
提供一基板，并在該基板上形成一第一金屬層，其具有柵極區和存儲電容電極區；
利用一半透光掩膜版在該第一金屬層之上形成一第一光刻膠圖案，其中覆蓋該柵極區的光刻膠層具有第二高度，覆蓋該存儲電容電極區的光刻膠層具有第一高度，該第二高度小于該第一高度；
以該第一光刻膠圖案為掩模，去除部分第一金屬層，以形成一包含柵極和存儲電容電極的第一導電圖案層；
去除該第一光刻膠圖案的部分厚度，以暴露被該具有第二高度的光刻膠層所覆蓋的柵極；
在基板上依次沉積一柵絕緣層、一半導體層和一歐姆接觸層；
在基板上繼續沉積一第二金屬層，分別形成源極、漏極和半導體圖形，制成TFT開關元件；
去除該存儲電容電極上的柵絕緣層和剩余的該第一光刻膠圖案，以暴露被該具有第一高度的光刻膠層所覆蓋的存儲電容電極；
在源、漏極和存儲電容電極上沉積一鈍化層，形成接觸孔；
最后在鈍化層上濺射上一層透明薄膜，形成像素電極。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，去除該第一光刻膠圖案的部分厚度的方法包括等離子體灰化工序。
3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，形成源極、漏極和半導體圖形的方法包括涂布光刻膠，使用GTM技術曝光，顯影，刻蝕和剝離工序。
4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，去除存儲電容電極上的柵絕緣層和剩余的該第一光刻膠圖案方法包括剝離技術工藝。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海廣電光電子有限公司，未經上海廣電光電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810034385.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：可變磁通永磁同步電動機
- 下一篇：一種密度較高的耐腐蝕合金
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
