[發明專利]掩模版的修復方法無效
| 申請號： | 200810034381.X | 申請日： | 2008-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN101526731A | 公開（公告）日： | 2009-09-09 |
| 發明（設計）人： | 錢芳 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201023*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 模版 修復 方法 | ||
1.一種掩模版的修復方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供待修復掩模版，包括存在缺陷的掩模圖形；
提供副本掩模版，包括未被刻蝕的遮光層，遮光層的面積大于所述待修復掩模版中存在缺陷的掩模圖形的面積；
采用副本掩模版制作掩模圖形副本；
利用掩模圖形副本的數據，修復待修復掩模版中存在缺陷的掩模圖形。
2.根據權利要求1所述之掩模版的修復方法，其特征在于，所述修復待修復掩模版中存在缺陷的圖形時，采用的設備為聚焦離子束機臺。
3.根據權利要求1所述之掩模版的修復方法，其特征在于，所述待修復掩模版和副本掩模版的類型均為相移掩模版。
4.根據權利要求1所述之掩模版的修復方法，其特征在于，所述采用副本掩模版制作掩模圖形副本，包括如下步驟：
在副本掩模版的遮光層表面涂覆光刻膠；
將含有標準掩模圖形尺寸數據輸入曝光設備；
根據標準掩模圖形尺寸數據，曝光未被刻蝕的遮光層表面的光刻膠；
將曝光后的光刻膠顯影；
采用顯影后的光刻膠作為阻擋層，刻蝕副本掩模版的遮光層。
5.根據權利要求4所述之掩模版的修復方法，其特征在于，所述采用副本掩模版制作掩模圖形副本，還包括如下步驟：
修正標準掩模圖形尺寸數據；
將含有修正后的掩模圖形尺寸數據輸入曝光設備。
6.根據權利要求4或5所述之掩模版的修復方法，其特征在于，所述曝光設備為電子束曝光機或者激光束曝光機。
7.根據權利要求4所述之掩模版的修復方法，其特征在于，所述刻蝕副本掩模版遮光層的方法為干法刻蝕或者濕法刻蝕。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
