[發(fā)明專(zhuān)利]單模和多模包層模干涉特種光纖及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810034120.8 | 申請(qǐng)日： | 2008-02-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101236273A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王廷云;龐拂飛;陳振宜;向文超;梁文斌 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G02B6/036 | 分類(lèi)號(hào)： | G02B6/036;C03B37/018 |
| 代理公司： | 上海上大專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單模 包層 干涉 特種 光纖 及其 制備 方法 | ||
1.單模和多模包層模干涉特種光纖，它由纖芯(1)、干涉內(nèi)包層(2)和外包層(3)組成，其特征在于纖芯(1)的材料是由純石英芯摻雜GeO2材料構(gòu)成，它的折射率要大于純石英材料；干涉內(nèi)包層(2)的材料是由純石英摻雜低折射率的添加物B2O3或氟F組成，其摻雜濃度為200～400ppm，包層厚度為5～10μm；而外包層(3)的材料是純石英；干涉內(nèi)包層(2)夾在纖芯(1)和外包層(3)之間，且具有比纖芯(1)和外包層(3)低的折射率。
2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模和多模包層模干涉特種光纖的制備方法，其特征在于采用氣相沉積法MCVD，在氣相沉積法MCVD制棒機(jī)上依次直接以氣相沉積方式制成純石英外包層(3)、干涉內(nèi)包層(2)和纖芯(1)，最后縮棒形成光纖預(yù)制棒，然后再進(jìn)行拉絲制成光纖。
3.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模和多模包層模干涉特種光纖的制備方法，其特征在于采用管外氣相沉積法OVD，在管外氣相沉積法OVD制棒機(jī)上依次直接以氣相沉積方式制成纖芯(1)、干涉內(nèi)包層(2)和純石英外包層(3)，最后形成光纖預(yù)制棒，然后再進(jìn)行拉絲制成光纖。
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