[發明專利]半導體硅太赫茲激光源器件無效
| 申請號： | 200810034077.5 | 申請日： | 2008-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN101252255A | 公開（公告）日： | 2008-08-27 |
| 發明（設計）人： | 陸衛;余晨輝;張波;李天信;陳平平;李寧;李志鋒;陳效雙 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01S5/04 | 分類號： | H01S5/04;H01S5/06;H01S5/024;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 赫茲 激光 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體硅太赫茲激光源器件，包括：泵浦源(1)、硅THz激光器芯片(4)，為硅THz激光器芯片提供制冷的制冷系統(5)；
泵浦源(1)產生的泵浦光，經激光輻射衰減器(2)后形成滿足硅THz激光器芯片(4)要求的泵浦激光，泵浦激光經反射鏡(3)反射進入放置在制冷系統的冷平臺上的硅THz激光器芯片(4)，其特征在于：
進入硅THz激光器芯片(4)的泵浦激光在硅中的類氫淺施主雜質NSD的2p0能級建立粒子數反轉，進而產生5.40THz波段的激光。
2.根據權利要求1的一種半導體硅太赫茲激光源器件，其特征在于：所說的制冷系統(5)為液氦制冷系統，系統溫度在4.2K～20K之間可調。
3.根據權利要求1的一種半導體硅太赫茲激光源器件，其特征在于：所說的泵浦源(1)為CO2中紅外激光，波長在9.2-10.7μm之間。
4.根據權利要求1的一種半導體硅太赫茲激光源器件，其特征在于：所說的THz激光器芯片為一具有雜質濃度在1014～1016cm-3類氫淺施主雜質NSD的硅片。
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