[發(fā)明專利]掩模及其設(shè)計方法、和使用該掩模制造陣列基板的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810033913.8 | 申請日： | 2008-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN101520599A | 公開（公告）日： | 2009-09-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔣順;馬駿;汪梅林 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/14 | 分類號： | G03F1/14;G03F7/00;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/60;H01L21/027 |
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| 地址： | 201201上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 及其 設(shè)計 方法 使用 制造 陣列 | ||
1.一種掩模板，用于制造液晶顯示裝置的陣列基板，包括：
多個第一掩模圖形區(qū)域，用于通過光刻在玻璃基板上形成多個第一面板圖形；
多個第二掩模圖形區(qū)域，用于通過光刻在玻璃基板上形成多個第二面板圖形；
其中所述第一掩模圖形區(qū)域和所述第二掩模圖形區(qū)域分別用于陣列基板的不同工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中所述陣列基板的不同工藝包括：形成柵極線、薄膜晶體管的柵極和存儲電容的下極板的工藝，形成溝道保護層圖形的工藝，形成有源層硅島的工藝，形成像素電極的工藝，形成過孔圖形的工藝，形成數(shù)據(jù)線的工藝，以及形成氮化硅保護層的工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中所述第一面板圖形和所述第二面板圖形通過不同的玻璃基板形成液晶顯示裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中所述第一面板圖形和所述第二面板圖形分別用于制造不同的液晶顯示模式的液晶顯示面板的陣列基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中設(shè)置所述第二掩模圖形區(qū)域的部分位于設(shè)置所述第一掩模圖形區(qū)域的部分的上方或下方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中設(shè)置所述第二掩模圖形區(qū)域的部分位于設(shè)置所述第一掩模圖形區(qū)域的部分的左側(cè)或右側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中所述掩模板還包括多個第三掩模圖形區(qū)域，用于通過光刻在玻璃基板上形成多個第三面板圖形，并且所述第三掩模圖形區(qū)域用于不同于第一掩模圖形區(qū)域和第二掩模圖形區(qū)域的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其中所述第一掩模圖形區(qū)域和所述第二掩模圖形區(qū)域的尺寸相同。
9.一種設(shè)計用于制造液晶顯示裝置的掩模板的方法，包括以下步驟：
在所述掩模板上形成多個第一掩模圖形區(qū)域的步驟，所述多個第一掩模圖形區(qū)域用于在玻璃基板上形成多個第一面板圖形；以及
在靠近掩模板邊框的多個第一掩模圖形區(qū)域與所述掩模板的邊框之間形成多個第二掩模圖形區(qū)域，所述第二掩模圖形區(qū)域用于在玻璃基板上形成多個第二面板圖形，
其中所述第一掩模圖形區(qū)域和所述第二掩模圖形區(qū)域分別用于陣列基板的不同工藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)計用于制造液晶顯示裝置的掩模板的方法，其中所述陣列基板的不同工藝包括：形成柵極線、薄膜晶體管的柵極和存儲電容的下極板的工藝，形成溝道保護層圖形的工藝，形成有源層硅島的工藝，形成像素電極的工藝，形成過孔圖形的工藝，形成數(shù)據(jù)線的工藝，以及形成氮化硅保護層的工藝。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)計用于制造液晶顯示裝置的掩模板的方法，其中所述第一面板圖形和所述第二面板圖形通過不同的玻璃基板形成液晶顯示裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)計用于制造液晶顯示裝置的掩模板的方法，其中所述第一面板圖形和所述第二面板圖形分別用于制造不同的液晶顯示模式的液晶顯示面板的陣列基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)計用于制造液晶顯示裝置的掩模板的方法，其中設(shè)置所述第二掩模圖形區(qū)域的部分位于設(shè)置所述第一掩模圖形區(qū)域的部分的上方或下方。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)計用于制造液晶顯示裝置的掩模板的方法，其中設(shè)置所述第二掩模圖形區(qū)域的部分位于設(shè)置所述第一掩模圖形區(qū)域的部分的左側(cè)或右側(cè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)計用于制造液晶顯示裝置的掩模板的方法，其中在靠近掩模板邊框的多個第一掩模圖形區(qū)域與所述掩模板的邊框之間還包括多個第三掩模圖形區(qū)域，用于通過光刻在玻璃基板上形成多個第三面板圖形，并且所述第三掩模圖形區(qū)域用于不同于第一掩模圖形區(qū)域和第二掩模圖形區(qū)域的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)計用于制造液晶顯示裝置的掩模板的方法，其中所述第一掩模圖形區(qū)域和所述第二掩模圖形區(qū)域的尺寸相同。
17.一種使用掩模板制造液晶顯示裝置的陣列基板的方法，所述掩模板包括多個第一掩模圖形區(qū)域和多個第二掩模圖形區(qū)域，所述第一掩模圖形區(qū)域和所述第二掩模圖形區(qū)域用于陣列基板的不同工藝，該方法包括通過擋板定義曝光區(qū)域，在玻璃基板上僅形成多個第一面板圖形以制造第一液晶顯示裝置。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
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G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
