[發(fā)明專利]多晶碘化汞薄膜室溫核輻射探測器的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810033872.2
• 申請日: 2008-02-26
• 公開（公告）號: CN101262026A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭耀明;史偉民;張瑜;余俊陽;鄭偉峰;王漪
• 申請（專利權(quán)）人: 上海大學(xué)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23F1/14;C23C14/26;C23C14/14;C23C14/04
• 代理公司: 上海上大專利事務(wù)所
• 代理人: 王正

1.?一種多晶碘化汞薄膜室溫核輻射探測器的制備方法，其特征在于具有以下的工藝過程和步驟：

a.多晶碘化汞薄膜的表面處理：首先選取由完整的柱狀晶粒排列在襯底基片上而成的多晶碘化汞薄膜，用細(xì)沙皮紙對薄膜進(jìn)行機(jī)械粗拋光，然后用綢布進(jìn)行機(jī)械細(xì)拋光；經(jīng)機(jī)械細(xì)拋光后，用10-20℃的10-20％KI溶液進(jìn)行1-3分鐘的化學(xué)腐蝕拋光；然后再用綢布進(jìn)行機(jī)械細(xì)拋光，用10-20℃的5-15％KI溶液進(jìn)行1-3分鐘的化學(xué)腐蝕拋光；隨后用18MΩ的去離子水反復(fù)沖洗數(shù)次，在清潔的空氣中晾干，并暴露24小時；

b.探測器電極的制備：將表面處理好的多晶碘化汞薄膜放入真空鍍膜機(jī)，通過掩膜板在多晶碘化汞薄膜和襯底上蒸鍍金電極，蒸發(fā)源和多晶碘化汞薄膜之間的距離為5-10厘米，蒸鍍時真空度為3.0-5.0×10^-3Pa；

c.封裝和安裝：制備好電極后，分別從襯底電極和上電極粘接直徑約30μm的鈀絲引出線；電極制作完成后，在上電極和碘化汞薄膜的上表面蒸涂上一層保護(hù)膜；保護(hù)膜材料為電阻率大于10¹⁴Ω·cm、擊穿電壓17-25KV/mm的硅橡膠；然后把用保護(hù)膜封裝好的部分用環(huán)氧樹脂粘結(jié)固定在聚四氟乙烯基座上；而后將鈀絲引至外電路，焊接在外引線上，并將外引線從基座下方引出并固定；最后安裝開有窗口的鋁殼作為探測器的外殼。

2.?如權(quán)利要求1所述的一種多晶碘化汞薄膜室溫核輻射探測器的制備方法，其特征在于所述的襯底基片為導(dǎo)電玻璃、非晶硅薄膜玻璃、預(yù)先蒸鍍有金薄膜的導(dǎo)電玻璃或半導(dǎo)體材料。

3.?如權(quán)利要求1所述的一種多晶碘化汞薄膜室溫核輻射探測器的制備方法，其特征在于所述的多晶碘化汞薄膜的尺寸為2英寸×2英寸，多晶薄膜的柱狀晶粒方向?qū)儆?001)晶面類型。