[發明專利]一種提高質量的鑲嵌結構制作方法

無效

• 申請號: 200810033815.4
• 申請日: 2008-02-22
• 公開（公告）號: CN101515561A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 李健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1、一種可提高質量的鑲嵌結構制作方法，包括以下步驟：a、提供一硅襯底，其上制作有層間介質層；b、在該層間介質層上沉積金屬間介質層；c、通過光刻和刻蝕工藝在該金屬間介質層上形成用于容置鑲嵌結構的容置凹槽；d、在該容置凹槽槽壁上制作擴散阻擋層；e、在該容置凹槽中填充金屬銅；f、通過銅化學機械拋光工藝形成鑲嵌結構；其特征在于，該方法在步驟b和c間還進行一化學機械拋光步驟以平坦該金屬間介質層。

2、如權利要求1所述的可提高質量的鑲嵌結構制作方法，其特征在于，該層間介質層為氮化硅。

3、如權利要求1所述的可提高質量的鑲嵌結構制作方法，其特征在于，該金屬間介質層為二氧化硅或摻雜有硼、磷或氟元素的二氧化硅。

4、如權利要求1所述的可提高質量的鑲嵌結構制作方法，其特征在于，該擴散阻擋層為上下層疊的氮化鉭和鉭。

5、如權利要求1所述的可提高質量的鑲嵌結構制作方法，其特征在于，在步驟e中，通過電鍍工藝在該容置凹槽中填充金屬銅。