[發明專利]一種多晶柵的生長方法

有效

• 申請號: 200810033813.5
• 申請日: 2008-02-22
• 公開（公告）號: CN101515544A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 何有豐;樸松源;白杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/20;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.?一種多晶柵的生長方法，它是在具有一定真空度的密封反應室內，在一定溫度條件下，利用硅化合物的反應物來沉積多晶柵，其特征在于，它包括以下步驟：

步驟1：在所述密封反應室真空度為0.08～1托，溫度為520～570攝氏度下，控制所述硅化合物的反應物流速在100～700標況毫升每分下，生長非晶態硅柵；

步驟2：充入退火惰性氣體，在退火溫度為700～850攝氏度和退火時間為10～30分鐘的退火條件下對步驟1中生長出的非晶態硅柵進行退火，將非晶態硅柵轉化成多晶硅柵。

2.?如權利要求1所述的多晶柵的生長方法，其特征在于，所述惰性退火氣體為氮氣。

3.?如權利要求2所述的多晶柵的生長方法，其特征在于，所述氮氣的流量為5～30標況升每分。

4.?如權利要求1所述的多晶柵的生長方法，其特征在于，所述硅化合物的反應物為硅烷。

5.?如權利要求1所述的多晶柵的生長方法，其特征在于，所述步驟1中反應室的真空度為0.6托，溫度為545攝氏度，硅化合物的反應物流速為350標況毫升每分。

6.?如權利要求1所述的多晶柵的生長方法，其特征在于，所述步驟2中退火溫度為800攝氏度，退火時間為10分鐘。