[發明專利]TiO2納米孔陣列材料的制備方法及其應用

無效

• 申請號: 200810033302.3
• 申請日: 2008-01-31
• 公開（公告）號: CN101307479A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 周保學;劉艷彪;白晶;李金花;蔡偉民
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26;C30B29/16;C30B29/60;C30B30/02;C01G23/047
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 毛翠瑩

1、一種鈦基TiO₂納米孔陣列材料的制備方法，其特征在于將純度90％以上的金屬鈦經表面清洗處理后用做陽極，置于含氟0.1～10wt％的氫氟酸有機電解質溶液或氟化物的有機電解質溶液中，以鉑為對電極，在10～80V電壓條件下進行陽極氧化20～100小時；陽極氧化后，通過物理的方法去除金屬鈦表面松散的薄膜層后，得到孔徑60～400nm、孔深10～250nm的由金屬鈦和鈦表面的氧化鈦構成的鈦基氧化鈦納米孔陣列材料；再在300～700℃溫度范圍內燒結0.5～15小時，冷卻后得到具有晶相組成的鈦基TiO₂納米孔陣列材料。

2、根據權利要求1的鈦基TiO₂納米孔陣列材料的制備方法，其特征在于所述的有機電解質溶液，其有機組分是與水互溶的有機溶劑二甲基亞砜、乙二醇和乙酰胺中的任意一種或組合。

3、根據權利要求1的鈦基TiO₂納米孔陣列材料的制備方法，其特征在于所述的除去金屬鈦表面松散的薄膜層的物理方法是超聲波超聲或是機械振動。

4、根據權利要求1的鈦基TiO₂納米孔陣列材料的制備方法，其特征在于所述的具有晶相組成的鈦基TiO₂納米孔陣列材料，其晶相組成是銳鈦礦相或金紅石相或銳鈦礦相與金紅石相共存的晶相組成。

5、根據權利要求1的鈦基TiO₂納米孔陣列材料的制備方法，其特征在于所述的TiO₂納米孔陣列材料，由TiO₂薄膜修飾技術修飾以提高其性能，這些TiO₂膜修飾技術為TiO₂貴金屬修飾、陰離子修飾、陽離子修飾、非金屬元素摻雜或半導體復合。

6、一種權利要求1方法制備的鈦基TiO₂納米孔陣列材料的應用，其特征在于用于光催化、光電催化、水污染監測中的化學需氧量(COD)傳感器、氫氣傳感器、染料敏化太陽能電池、外科整形與牙齒修復中的植入材料。