[發明專利]一種監測結構及包括監測結構的掩膜版及其使用方法無效
| 申請號： | 200810033256.7 | 申請日： | 2008-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN101498896A | 公開（公告）日： | 2009-08-05 |
| 發明（設計）人： | 顧以理 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 | 代理人： | 羅 朋 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 監測 結構 包括 掩膜版 及其 使用方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于監測半導體光刻工藝的監測結構，其特征在于，所述監測結構的圖案包括以下任多項：
-1個或多個關鍵尺寸條，
-1個或多個對準標記，
所述監測結構的圖案寬度小于等于切割道切割區域的寬度。
2.如權利要求1所述的結構，其特征在于：所述關鍵尺寸條和所述對準標記按照豎直方向排列。
3.如權利要求1或2所述的結構，其特征在于：所述監測結構的寬度小于等于切割道切割區域的寬度。
4.一種掩膜版，其特征在于：所述掩膜版包括一個或多個如權利要求1至3任一項所述的監測結構。
5.一種監測結構的使用方法，其特征在于包括如下步驟：
c.切割掉復制在晶片上的如權利要求1至3任一項所述的監測結構。
6.如權利要求5所述的使用方法，其特征在于，在所述步驟b之前還包括：
a.將監測結構設置在掩膜版上；
b.通過曝光工藝將所述監測結構復制到晶片上；
其中，所述步驟c為：
待完成監測后，切割掉復制在晶片上的所述監測結構，其中切割道切割區域覆蓋所述監測結構。
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