[發(fā)明專利]一種光刻機(jī)雜散光的自動(dòng)測(cè)量方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810032843.4 | 申請(qǐng)日: | 2008-01-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101221369A | 公開(公告)日: | 2008-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李術(shù)新 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 201203上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光刻 散光 自動(dòng) 測(cè)量方法 | ||
1.一種光刻機(jī)雜散光的自動(dòng)測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,包括,
光源,用于產(chǎn)生投影光束;
照明系統(tǒng),用于調(diào)整所述光源發(fā)出光束的光強(qiáng)分布和部分相干因子;
掩模,位于掩模臺(tái)上,用于將所述照明系統(tǒng)射出的光線進(jìn)行選擇后選擇一部分透出;
成像光學(xué)系統(tǒng),用于將所述掩模透出的光線曝光成像在硅片上;
對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),用于獲取對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置;
工件臺(tái),用于承載所述硅片;
激光干涉儀,用于實(shí)現(xiàn)工件臺(tái)的精確定位。
2.一種利用權(quán)利要求1所述光刻機(jī)雜散光的自動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行光刻機(jī)雜散光自動(dòng)測(cè)量的方法,其特征在于,包括,
步驟1、將特定的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記曝光到硅片不同位置上,形成n個(gè)曝光場(chǎng);
步驟2、對(duì)于所形成的n個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi)的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,選取m個(gè),對(duì)其以設(shè)定劑量的雜散光進(jìn)行曝光;
步驟3、對(duì)剩下的n-m個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,對(duì)其以待測(cè)的雜散光進(jìn)行曝光;
步驟4、顯影后,利用離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)測(cè)量所有所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)位置;
步驟5、利用步驟2中曝光標(biāo)記的測(cè)量結(jié)果,建立雜散光與所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)位置的對(duì)應(yīng)關(guān)系;
步驟6、根據(jù)步驟3種曝光標(biāo)記的測(cè)量結(jié)果,以及步驟5中得到的對(duì)應(yīng)關(guān)系,求得系統(tǒng)雜散光。
3.如權(quán)利要求2所述的一種光刻機(jī)雜散光的自動(dòng)測(cè)量方法,其特征在于,所述步驟1中,特定的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記其成像位置重心隨雜散光的大小而改變。
4.如權(quán)利要求3所述的一種光刻機(jī)雜散光的自動(dòng)測(cè)量方法,其特征在于,所述特定的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)為鏡像焦面檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。
5.如權(quán)利要求2所示的一種光刻機(jī)雜散光自動(dòng)測(cè)量方法,其特征在于,所述步驟6中,可以將焦點(diǎn)標(biāo)記的位置求平均后在利用對(duì)應(yīng)關(guān)系求得雜散光;也可以先利用對(duì)應(yīng)關(guān)系求得雜散光后,再求平均值。
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