[發明專利]用于保護多晶和襯底表面的集成方法

有效

• 申請號: 200810032697.5
• 申請日: 2008-01-16
• 公開（公告）號: CN101488477A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 居建華;魏瑩璐;何學緬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/84
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳 亮

1.一種用于保護多晶和襯底表面的集成方法，其特征在于，依次包括以下步驟：

步驟一：多晶光照；

步驟二：多晶蝕刻；

步驟三：多晶再氧化；

步驟四：補償間隔物SiN沉積；

步驟五：補償間隔物蝕刻；

步驟六：補償間隔物聚合物去除；

步驟七：NMOS?IO/核心輕摻雜漏極；

步驟八：PMOS?IO輕摻雜漏極；

步驟九：氧化物剝離；以及

步驟十：PMOS核心輕摻雜漏極，

其中，該集成方法在補償間隔物蝕刻之后且補償間隔物聚合物去除之前不進 行氧化物剝離的步驟，保留了多晶并保留了襯底上的多晶的再氧化，

其中，所述步驟九中，所述多晶再氧化步驟中形成的氧化物通過HF濕法剝 離被去除。