[發(fā)明專利]一種采用多路噪聲抵消的低噪聲放大器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810032556.3 | 申請日: | 2008-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN101483409A | 公開(公告)日: | 2009-07-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 廖友春;金黎明;袁路;唐長文 | 申請(專利權)人: | 上海銳協(xié)微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45;H03F1/26;H03F1/02;H03F1/32 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200433上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 噪聲 抵消 低噪聲放大器 | ||
1、一種采用多路噪聲抵消的低噪聲放大器,包含:輸入晶體管部分202,負載部分203;輸入晶體管部分202由兩個相同的晶體管M21和M22組成,用于放大信號;負載部分203由兩個相同的晶體管M23和M24組成,為輸入晶體管202部分提供負載,其源極分別連接至輸入晶體管M21和M22的漏極,差分輸出端Vo,其漏極連接至電源,柵極直流電位連接至電源;其特征在于,還包含,平衡非平衡變壓器201,交叉耦合部分204,信號正饋部分205;
平衡非平衡變壓器201,其第1端單端連接至信號源,兩個平衡端第2端和第3端分別連接至輸入晶體管M21和M22的源極,第4端和第5端接地;
交叉耦合部分204由兩個電阻-電容高通濾波電路C21-R21和C22-R22組成,其中電容C21的兩端分別連接至輸入晶體管M21的源極和M22的柵極,電容C22的兩端分別連接至輸入晶體管M22的源極和M21的柵極,與輸入晶體管相連形成交叉耦合組態(tài),使得輸入晶體管M21和M22的柵極和源極之間的交流輸入信號電壓差增加或倍增;
信號正饋部分205,由兩個電阻電容高通濾波電路C23-R23和C24-R24組成,提供額外的信號通路和噪聲抵消通路,在不消耗額外功耗的前提下提高電路的增益,降低噪聲系數(shù)。
2、根據(jù)權利要求1所述的低噪聲放大器,其特征在于:所述輸入晶體管部分202,其柵極直流電位由偏置電壓Vb確定,源極分別連接至平衡非平衡變壓器的兩個平衡端,漏極連接至負載和輸出端Vo。
3、根據(jù)權利要求1所述的低噪聲放大器電路,其特征在于:所述差分輸入晶體管的源極和柵極采用交叉耦合連接的方法,即每個輸入晶體管的源極分別與平衡-非平衡變壓器的兩個平衡端相連的情況下,通過兩個電阻-電容高通濾波電路將差分輸入信號分別耦合到相對的晶體管的柵極,從而使得直流功耗相同的前提下,每個輸入晶體管的柵源之間的交流輸入電壓倍增,這樣在電路功耗不變的前提下得到了雙倍的跨導,使得電路噪聲系數(shù)降低、線性度增加。
4、根據(jù)權利要求1所述的低噪聲放大器,其特征在于:所述信號正饋部分205采用兩對電阻-電容高通濾波網(wǎng)絡將差分輸入信號交流耦合至負載晶體管203的柵極,為電路從輸入到輸出之間提供一條額外的正饋通路。
5、根據(jù)權利要求1或2或3或4所述的低噪聲放大器,其特征在于,所述晶體管既是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),或雙極結晶體管(BJT)。
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