[發(fā)明專利]一種聚合物發(fā)光二極管的去邊方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810032547.4
• 申請日: 2008-01-11
• 公開（公告）號: CN101483224A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳歡榮;劉暢;施展;余峰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海廣電電子股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 吳寶根

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件技術(shù)，特別是涉及一種聚合物發(fā)光二極管(PLED)的去邊制造技術(shù)。

背景技術(shù)

有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光器件(OLED)由于具有，全視角、高效率、低功耗，成為下一代顯示器的熱門侯選人。在有機(jī)發(fā)光器件中，聚合物發(fā)光二極管(PLED)由于能夠簡易實(shí)現(xiàn)大面積制作，而成為熱門中的熱門。在PLED器件制作過程中，旋涂法是實(shí)現(xiàn)大面積制作器件的主要方法，由于制作過程中采用旋涂方法，整個基片表面將完全覆蓋上聚合物有機(jī)材料，為了能夠?qū)⒔饘訇帢O和引線有效的連接，需要將原先覆蓋在引線上的聚合物有機(jī)材料去除。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能有效去除覆蓋在引線上的聚合物有機(jī)材料的聚合物發(fā)光二極管的去邊方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所提供的一種聚合物發(fā)光二極管的去邊方法，其特征在于，方法的步驟：

1)在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩；

2)利用紫外光(UV)對聚合物有機(jī)材料(MEH—PPV，PEDOT等)進(jìn)行曝光，使材料發(fā)生分解；

3)將經(jīng)過曝光改性的聚合物材料，利用有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗，從而實(shí)現(xiàn)所需要的圖形，將原先被有機(jī)聚合物層覆蓋的金屬引線曝露出來；

4)將金屬電極層經(jīng)蒸鍍直接覆蓋在引線或覆蓋有PEDOT(聚乙撐二氧噻吩)層的引線上。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的另一種聚合物發(fā)光二極管的去邊方法，其特征在于，方法的步驟：

1)在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩；

2)利用紫外光(UV)對聚合物有機(jī)材料(MEH—PPV，PEDOT等)進(jìn)行曝光，使材料發(fā)生分解；

3)在聚合物材料中摻雜光導(dǎo)材料，實(shí)現(xiàn)聚合物材料在絕緣體與導(dǎo)體之間的轉(zhuǎn)換；

4)將金屬經(jīng)蒸鍍直接覆蓋在改性后的聚合物材料層上。

利用本發(fā)明提供的聚合物發(fā)光二極管的去邊方法，由于采用<＝365nm的紫外光，對有機(jī)聚合物材料進(jìn)行曝光，從而將原先的絕緣聚合物材料去除或改性變成導(dǎo)體材料，然后將金屬直接覆蓋在金屬引線或改性聚合物有機(jī)材料層上，實(shí)現(xiàn)金屬層的簡易蒸鍍工藝。

附圖說明

圖1(a)和圖1(b)是本發(fā)明實(shí)施例在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1(c)是本發(fā)明實(shí)施例基板經(jīng)過紫外光(UV)曝光的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1(d)和圖1(e)是本發(fā)明實(shí)施例基板曝光之后將改性的聚合物材料通過有機(jī)溶劑去除的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1(f)是本發(fā)明實(shí)施例基板露出原先的金屬電極引線，最后蒸鍍上金屬覆蓋在引線上的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2(a)和圖2(b)是本發(fā)明實(shí)施例在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2(c)是本發(fā)明實(shí)施例基板經(jīng)過紫外光(UV)曝光的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2(d)是本發(fā)明實(shí)施例基板曝光之后將改性的聚合物材料通過有機(jī)溶劑去除的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2(e)是本發(fā)明實(shí)施例基板露出原先的金屬電極引線以及PEDOT層，最后蒸鍍上金屬覆蓋在PEDOT層上的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(a)和圖3(b)是本發(fā)明實(shí)施例在旋涂完聚合物材料的基板上覆蓋上光罩的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(c)是本發(fā)明實(shí)施例基板經(jīng)過紫外光(UV)曝光的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(d)是本發(fā)明實(shí)施例基板曝光之后將聚合物材料改性，從絕緣體變?yōu)閷?dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(e)是本發(fā)明實(shí)施例基板露出原先的金屬電極引線以及改性層，最后蒸鍍上金屬覆蓋在改性層上的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖說明對本發(fā)明的實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述，但本實(shí)施例并不用于限制本發(fā)明，凡是采用本發(fā)明的相似方法及其相似變化，均應(yīng)列入本發(fā)明的保護(hù)范圍。

本發(fā)明實(shí)施例的工作原理：

紫外光(<＝365nm)(UV)對有機(jī)聚合材料有很強(qiáng)的破壞作用，能夠?qū)⒕酆喜牧系囊徊糠宙I碳?xì)浯蜷_，從而使材料分解。分解之后，材料原有的化學(xué)特性遭到破壞，然后通過有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗，將經(jīng)過曝光部分的材料清洗，從而實(shí)現(xiàn)所需要的圖形，能夠?qū)⒔饘僦苯痈采w在引線上。此外在有機(jī)聚合物材料中摻入光導(dǎo)材料，光導(dǎo)材料在曝光之后電導(dǎo)率能夠有效提高，從而將原先的絕緣材料層變成導(dǎo)體材料層，將金屬直接覆蓋聚合物有機(jī)材料層上，實(shí)現(xiàn)陰極與引線的充分連接。