[發明專利]一種制備太陽電池背鋁硅合金結的工藝無效
| 申請號： | 200810032535.1 | 申請日： | 2008-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN101217172A | 公開（公告）日： | 2008-07-09 |
| 發明（設計）人： | 胡宏勛;陳斌;李華維;黃岳文;徐曉群;孫勵斌;唐則祁 | 申請（專利權）人： | 寧波杉杉尤利卡太陽能科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海東亞專利商標代理有限公司 | 代理人： | 羅習群 |
| 地址： | 315177浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 太陽電池 背鋁硅 合金 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備太陽電池背鋁硅合金結的工藝，其特征是：在N型單晶硅片的背面全覆蓋絲網印刷鋁漿，進行高溫一次燒結，形成背鋁硅合金結。
2.按權利要求1所述的一種制備太陽電池背鋁硅合金結的工藝，其特征是：一次燒結形成的鋁硅合金結，是用強酸或王水腐蝕去除鋁層后形成的，其合金層具備均勻性。
3.按權利要求1所述的一種制備太陽電池背鋁硅合金結的工藝，其特征是：背鋁硅合金結的深淺，由硅片厚度、燒結溫度和燒結時間決定，當硅片厚度在200～230um，背面全覆蓋印刷鋁漿厚度則在20～25um，燒結溫度在700～920℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
