[發(fā)明專利]一種雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810032346.4
• 申請(qǐng)日: 2008-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101483154A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛剛;王家佳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈 蘅;李時(shí)云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法。

背景技術(shù)

有些電子產(chǎn)品對(duì)功耗和速度都有著較高的要求，只有雙柵氧器件才能滿足該些電子產(chǎn)品對(duì)功耗和速度的雙重需求。雙柵氧器件不僅具有低功耗的厚柵氧金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET，簡(jiǎn)稱為MOS管)，還具有反應(yīng)速度較快的薄柵氧MOS管。設(shè)置在柵極兩側(cè)且作為柵極側(cè)墻組成部分的內(nèi)偏移側(cè)墻(offset?spacer)可有效減小漏電流以及柵極與源漏極間的電容，其已廣泛應(yīng)用在深亞微米的半導(dǎo)體制作領(lǐng)域中。但在雙柵氧器件中為確保薄柵氧MOS管的反應(yīng)速度并簡(jiǎn)化工藝，其在柵極側(cè)墻中并未使用內(nèi)偏移側(cè)墻，其僅通過(guò)沉積側(cè)墻介質(zhì)層(通常為氮化硅)并通過(guò)刻蝕工藝來(lái)形成柵極側(cè)墻，從而造成厚柵氧MOS管的漏電流以及柵極與源漏極間的電容均較大，并使該雙柵氧器件的電性能劣化。

因此，如何提供一種雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法以減小厚柵氧MOS管的漏電流及其柵極與源漏極間的電容，并改善雙柵氧器件的電性能，已成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法，通過(guò)所述柵極側(cè)墻制造方法可大大減小厚柵氧MOS管的漏電流及其柵極與源漏極間的電容，并可有效改善雙柵氧器件的電性能。

本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法，該雙柵氧器件具有厚柵氧MOS管和薄柵氧MOS管，該柵極側(cè)墻包括厚柵氧側(cè)墻和薄柵氧側(cè)墻，其分別制作在厚柵氧柵極和薄柵氧柵極兩側(cè)，其中，該厚柵氧側(cè)墻包括內(nèi)偏移側(cè)墻和外側(cè)墻，該柵極側(cè)墻制造方法包括以下步驟：a、沉積第一側(cè)墻介質(zhì)層；b、涂布光刻膠并光刻出薄柵氧MOS管對(duì)應(yīng)的有源區(qū)圖形；c、通過(guò)濕法刻蝕工藝去除未被光刻膠遮蔽的第一側(cè)墻介質(zhì)層；d、去除光刻膠且重新涂布光刻膠，并光刻出厚柵氧MOS管對(duì)應(yīng)的有源區(qū)圖形；e、通過(guò)干法刻蝕工藝形成內(nèi)偏移側(cè)墻；f、去除光刻膠并進(jìn)行輕摻雜漏注入工藝；g、沉積第二側(cè)墻介質(zhì)層并通過(guò)干法刻蝕工藝形成薄柵氧側(cè)墻和厚柵氧側(cè)墻的外側(cè)墻。??

在上述的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法中，厚柵氧MOS管的厚柵氧化層的厚度范圍為16至18埃。

在上述的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法中，薄柵氧MOS管的薄柵氧化層的厚度范圍為10至12埃。

在上述的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法中，在步驟c中，該濕法刻蝕工藝的刻蝕液為磷酸溶液。

在上述的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法中，該第一側(cè)墻介質(zhì)層為氮化硅。

在上述的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法中，在步驟a中，所沉積的第一側(cè)墻介質(zhì)層厚度范圍為60至130埃。

在上述的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法中，該第二側(cè)墻介質(zhì)層包括上下層疊的氮化硅層和氧化硅層。

在上述的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法中，在步驟g中，所沉積的氧化硅層的厚度范圍為100至200埃，氮化硅層的厚度范圍為500至700埃。

與現(xiàn)有技術(shù)中柵極側(cè)墻中不具有內(nèi)偏移側(cè)墻而致使厚柵氧MOS管的漏電流以及柵極與源漏極間的電容均較大相比，本發(fā)明的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法先沉積第一側(cè)墻介質(zhì)層并去除薄柵氧MOS管對(duì)應(yīng)的有源區(qū)的第一側(cè)墻介質(zhì)層，再通過(guò)干法刻蝕形成內(nèi)偏移側(cè)墻，然后進(jìn)行輕摻雜漏注入工藝，最后沉積第二側(cè)墻介質(zhì)層并通過(guò)干法刻蝕形成薄柵氧側(cè)墻和厚柵氧側(cè)墻的外側(cè)墻，如此可在不影響薄柵氧MOS管反應(yīng)速度的前提下大大降低了厚柵氧MOS管的漏電流及其柵極與源漏極間的電容，并可有效改善雙柵氧器件的電性能。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法由以下的實(shí)施例及附圖給出。

圖1為進(jìn)行本發(fā)明的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法前該雙柵氧器件的剖視圖；

圖2為本發(fā)明的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法的流程圖；

圖3至圖9為完成圖2中步驟S20至S26后雙柵氧器件的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下將對(duì)本發(fā)明的雙柵氧器件的柵極側(cè)墻制造方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

本發(fā)明中所述的雙柵氧器件具有厚柵氧MOS管和薄柵氧MOS管，所述的柵極側(cè)墻包括厚柵氧側(cè)墻和薄柵氧側(cè)墻，其分別制作在厚柵氧柵極和薄柵氧柵極兩側(cè)，其中，所述厚柵氧側(cè)墻包括內(nèi)偏移側(cè)墻和外側(cè)墻。