[發(fā)明專(zhuān)利]一種可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810032344.5
• 申請(qǐng)日: 2008-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101483153A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳昱升;何德飚
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/822
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/822;H01L21/8234
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈 蘅;李時(shí)云

1.一種可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其制造在硅襯底上且具有MOS 管和電阻，該MOS管和電阻分別制作在硅化金屬區(qū)和硅化金屬阻止區(qū)，該方法 包括以下步驟：a、在硅襯底上制作柵氧化層和多晶硅層；b、通過(guò)刻蝕工藝去 除柵極區(qū)和電阻區(qū)外的柵氧化層和多晶硅層，形成柵極和電阻；c、對(duì)電阻區(qū)進(jìn) 行摻雜；d、沉積側(cè)墻介質(zhì)層；其特征在于，該方法在步驟d之后還包括以下步 驟：e、涂布光刻膠并在MOS管制造區(qū)光刻出硅化金屬區(qū)，使得光刻膠覆蓋在硅 化金屬阻止區(qū)上；f、通過(guò)對(duì)硅化金屬區(qū)進(jìn)行干法刻蝕工藝在柵極的兩側(cè)形成柵 極側(cè)墻；g、去除硅化金屬阻止區(qū)上的光刻膠并進(jìn)行源漏離子注入工藝；h、沉 積金屬層并進(jìn)行熱處理以在MOS管的柵源漏極形成金屬硅化物；i、通過(guò)濕法刻 蝕工藝去除未硅化反應(yīng)的金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 該金屬層為鈦層、鎳層或鈷層，相應(yīng)地該金屬硅化物為硅化鈦、硅化鎳或硅化鈷。

3.如權(quán)利要求1所述的可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 該側(cè)墻介質(zhì)層為氧化硅層或氮化硅層。

4.如權(quán)利要求1所述的可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 在步驟h中，該熱處理包括第一階段熱處理和第二階段熱處理。

5.如權(quán)利要求4所述的可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 該第一階段熱處理的溫度范圍為450至550攝氏度。

6.如權(quán)利要求4所述的可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 該第二階段熱處理的溫度范圍為700至850攝氏度。

7.如權(quán)利要求1所述的可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 在步驟h中，通過(guò)濺射鍍膜工藝沉積金屬層。

8.如權(quán)利要求1所述的可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 在步驟i中，該濕法刻蝕工藝的刻蝕液為王水。

9.如權(quán)利要求1所述的可優(yōu)化工藝的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 在步驟i中，該濕法刻蝕工藝的刻蝕液為氨水、雙氧水和水的混合溶液或硫酸 和雙氧水的混合溶液。