[發(fā)明專利]硅片和其制造方法及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810032278.1
• 申請日: 2008-01-04
• 公開（公告）號: CN101477949A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳科
• 申請（專利權(quán)）人: 陳科
• 主分類號: H01L21/208
• 分類號: H01L21/208;H01L31/028;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種硅片，其特征在于：由低純度硅底板和高純度硅層構(gòu)成，是讓熔融狀態(tài)的高純度硅在低純度硅底板上結(jié)晶凝固成硅片的高純度硅層。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片，其特征在于：是由熔融狀態(tài)的高純度硅在低純度硅底板上結(jié)晶凝固成硅片的高純度硅層。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片，其特征在于：低純度硅的純度范圍在60％到99.99％。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片，其特征在于：高純度硅的純度范圍在99.99％以上。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片，其特征在于：在低純度硅底板和高純度硅層之間附加一層過渡硅層，過渡硅層的硅純度范圍在99.9％到99.9999％。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片，其特征在于：在低純度硅底板和高純度硅層之間附加一層金屬薄膜層。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片，其特征在于：低純度硅底板的硅材料可以由金屬、陶瓷或石墨替代。

8、一種甩脫式硅片制造方法及裝置，其特征在于：轉(zhuǎn)軸帶動硅底板旋轉(zhuǎn)。

9、一種傾斜式硅片制造方法及裝置，其特征在于：硅底板與水平面處于傾斜狀態(tài)，以使硅殘液從結(jié)晶完的硅片上自行流走。

10、一種連續(xù)式硅片制造方法及裝置，其特征在于：硅底板與坩堝口的硅熔液接觸。

11、根據(jù)權(quán)利要求10的一種連續(xù)式硅片制造方法及裝置，其特征在于：在坩堝口的旁邊設(shè)有輸運硅底板的轉(zhuǎn)輥。

12、根據(jù)權(quán)利要求10的一種連續(xù)式硅片制造方法及裝置，其特征在于：在坩堝上設(shè)有控制硅熔液壓力的進(jìn)液口。

13、根據(jù)權(quán)利要求10的一種連續(xù)式硅片制造方法及裝置，其特征在于：在坩堝旁的進(jìn)片臺上設(shè)有預(yù)熱裝置。

14、一種模鑄式硅片制造方法及裝置，其特征在于：模板的凹面與硅底板形成一個封閉空間，封閉空間內(nèi)的硅熔液結(jié)晶成高純度硅層。

15、一種豎立式硅片制造方法及裝置，其特征在于：將硅底板和控溫板都浸入硅熔液里進(jìn)行結(jié)晶。

16、根據(jù)權(quán)利要求15的一種豎立式硅片制造方法及裝置，其特征在于：硅底板和控溫板在處于豎立的狀態(tài)離開硅熔液。

17、一種滾涂式硅片制造方法及裝置，其特征在于：由滾涂輥將硅熔液滾涂在硅底板上。

18、根據(jù)權(quán)利要求18的一種滾涂式硅片制造方法及裝置，其特征在于：在滾涂輥的旁邊設(shè)有輸運硅底板的轉(zhuǎn)輥。

19、根據(jù)權(quán)利要求18的一種滾涂式硅片制造方法及裝置，其特征在于：在滾涂輥旁設(shè)有控制硅底板溫度的控溫臺。