[發明專利]用SiCf/SiC復合材料制備高溫液態金屬回路的方法有效
| 申請號： | 200810031765.6 | 申請日： | 2008-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN101318829A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發明（設計）人： | 周新貴;吳宜燦;王軍;張長瑞;黃群英;劉榮軍;王洪磊;于海蛟;趙爽;王志毅;黃澤蘭 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍國防科學技術大學 |
| 主分類號： | C04B35/66 | 分類號： | C04B35/66 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務所 | 代理人： | 陳暉 |
| 地址： | 410073湖南省長沙市開福區硯瓦池正街4*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic sub 復合材料 制備 高溫 液態 金屬 回路 方法 | ||
1.一種用SiCf/SiC復合材料制備高溫液態金屬回路的方法，包括以下步驟：
(1)芯模的準備：準備用于制備高溫液態金屬回路的石英芯模；
(2)纖維的編制：以SiC纖維為原料，采用三維編織技術，在上述石英芯模上制備SiC纖維編制件；
(3)先驅體浸漬裂解制備SiCf/SiC復合材料：所用先驅體為聚碳硅烷，將聚碳硅烷、二甲苯按照1∶(1～10)的質量比混合，所述SiC纖維編制件以聚碳硅烷/二甲苯的混合溶液為浸漬液體進行高壓浸漬，浸漬壓力為1～10MPa，浸漬時間為1～24h；再進行高溫裂解，裂解溫度為800～1500℃，保溫1～10h；重復所述高壓浸漬到高溫裂解工藝5～25次，得到高溫液態金屬回路粗模；
(4)石英芯模的脫模：將蒸餾水、質量濃度為99.9％的氫氟酸按照1∶(1.5～10)的質量比混合，用混合后的氫氟酸溶液腐蝕去除上述高溫液態金屬回路粗模中的石英芯模，然后用無水乙醇洗滌，并在真空氣氛下干燥1～10h；
(5)碳化硅涂層：將脫模后的高溫液態金屬回路粗模進行化學氣相沉積，涂層的厚度為3～20μm，涂層后得到高溫液態金屬回路成品。
2.根據權利要求1所述的用SiCf/SiC復合材料制備高溫液態金屬回路的方法，其特征在于所述石英芯模中二氧化硅的質量分數為99.9％，且其表面粗糙度小于1nm。
3.根據權利要求1所述的用SiCf/SiC復合材料制備高溫液態金屬回路的方法，其特征在于所述高溫裂解的升溫過程中，在300～500℃和550～800℃兩個溫度段內分別設立保溫點，在每個保溫點分別保溫1～10h。
4.根據權利要求1所述的用SiCf/SiC復合材料制備高溫液態金屬回路的方法，其特征在于所述化學氣相沉積工藝的沉積原料即先驅體為三氯甲基硅烷，沉積溫度為500～1500℃；載氣體為H2，氣體的流量為50～200ml/min；稀釋氣體為氬氣，氣體的流量為100～600ml/min；沉積壓力為0.1～10KPa；沉積時間為1～100h。
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