[發明專利]晶體花釉的制作方法

有效

• 申請號: 200810031658.3
• 申請日: 2008-07-03
• 公開（公告）號: CN101306958A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 何昌楚
• 申請（專利權）人: 湖南省醴陵市楚華陶瓷實業有限公司
• 主分類號: C04B41/86
• 分類號: C04B41/86
• 代理公司: 株洲市美奇知識產權代理有限公司
• 代理人: 李翠梅

技術領域

本發明涉及晶體花釉的制作方法。

背景技術

晶體花釉以晶瑩剔透，立體感強深受人們喜愛，能否將其用于瓷器行業上，讓它與瓷質相結合，讓它發揮其獨有的藝術感染力和魅力呢？

發明內容

本發明的目的就是提供一種晶體花釉的制作方法，使其貼近自然，并具有較強的感染力。

本發明的晶體花釉，其特征在于：

(1)按以下組份和重量百分比配制

A、底釉

鉀長石??25～35??石英????8～15

方解石??15～25??粘土????15～25

碳酸鋇??3～8????氧化鈦??3～7

氧化銅??3～7

B、面釉

熔塊????45～55??鉀長石??15～25

粘土????8～12???氧化鈦??8～12

氧化鐵??3～7????氧化鋅??3～7

(2)將底釉按料∶球∶水等于1∶2∶0.6進行濕法球磨18～20小時，球磨后之釉料過200目篩，再調成34～45波美度的釉漿，手工施加在泥坯上，自然干燥后待用；

(3)將面釉按料∶球∶水等于1∶2∶0.6進行濕法球磨18～20小時，球磨后之釉料過200目篩，再調成34～45波美度的釉漿，用面釉漿手工繪在杯口沿或盤碟口沿，經1160～1200℃溫度燒制，口沿面釉在高溫時，自然流動，形成晶體花紋。

根據以上技術方案提出的這種晶體花釉，燒制后立體感強，具有較高的藝術感染力和獨特魅力。

具體實施方式

實施例一

(1)按以下組份和重量百分比配制

A、底釉

鉀長石??33??石英????12

方解石??20??粘土????20

碳酸鋇??5???氧化鈦??5

氧化銅??5

B、面釉

熔塊????50??鉀長石??20

粘土????10??氧化鈦??10

氧化鐵??5???氧化鋅??5

(2)將底釉按料∶球∶水等于1∶2∶0.6進行濕法球磨18～20小時，球磨后之釉料過200目篩，再調成34～45波美度的釉漿，手工施加在泥坯上，自然干燥后待用；

(3)將面釉按料∶球∶水等于1∶2∶0.6進行濕法球磨18～20小時，球磨后之釉料過200目篩，再調成34～45波美度的釉漿，用面釉漿手工繪在杯口沿或盤碟口沿，經1160～1200℃溫度燒制，口沿面釉在高溫時，自然流動，形成晶體花紋。

實施例二

(1)按以下組份和重量百分比配制

A、底釉

鉀長石??30??石英????15

方解石??15??粘土????25

碳酸鋇??7???氧化鈦??3

氧化銅??5

B、面釉

熔塊????45??鉀長石??25

粘土????8???氧化鈦??12

氧化鐵??7???氧化鋅??3

(2)將底釉按料∶球∶水等于1∶2∶0.6進行濕法球磨18～20小時，球磨后之釉料過200目篩，再調成34～45波美度的釉漿，手工施加在泥坯上，自然干燥后待用；

(3)將面釉按料∶球∶水等于1∶2∶0.6進行濕法球磨18～20小時，球磨后之釉料過200目篩，再調成34～45波美度的釉漿，用面釉漿手工繪在杯口沿或盤碟口沿，經1160～1200℃溫度燒制，口沿面釉在高溫時，自然流動，形成晶體花紋。

本發明方案中的熔塊為本行業通用的一種材料，來自專業生產廠家，其組成原料為：二氧化硅64％，三氧化二鋁7％，三氧化二鐵1％，氧化鈣8％，氧化鎂0.5％，氧化鉀4％，氧化鈉4％，三氧化二硼11％，氧化鋅0.5％。