[發明專利]用于銅互連的Ta－Al－N擴散阻擋層薄膜及其制備工藝

無效

• 申請號: 200810031500.6
• 申請日: 2008-06-16
• 公開（公告）號: CN101295704A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 周繼承;李幼真;趙保星;陳海波;劉正;陳勇民
• 申請（專利權）人: 中南大學
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L21/3205;H01L21/768;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 長沙市融智專利事務所
• 代理人: 顏勇

1、一種用于銅互連的Ta-Al-N擴散阻擋層薄膜，其特征在于，其組分為質量百分比為1.5％～7.8％的Al，8.4％～11.5％的N，余量為Ta，用多靶磁控濺射方法制備而成。

2、如權利要求1所述的用于銅互連的Ta-Al-N擴散阻擋層薄膜，其特征在于，其方塊電阻為120～500Ω/□。

3、如權利要求1或2所述的用于銅互連的Ta-Al-N擴散阻擋層薄膜，其特征在于，所述的用于銅互連的Ta-Al-N擴散阻擋層薄膜為非晶態。

4、一種制備如權利要求1所述用于銅互連的Ta-Al-N擴散阻擋層薄膜的工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1)在多靶磁控濺射儀中同時安裝Ta靶、Cu靶、Al靶；其中Ta靶和Cu靶在直流濺射位，Al靶在射頻濺射位，將硅片清洗烘干后安裝在基片位置上；充入氣流，控制氮氣占氣流總流量的5～10％；

2)采用磁控濺射法原位制備Ta-Al-N薄膜。

5、如權利要求4所述的一種制備用于銅互連的Ta-Al-N擴散阻擋層薄膜的工藝，其特征在于，在原位制備Ta-Al-N薄膜時，將氣流的氣壓穩定在0.9～1.2Pa。

6、如權利要求4所述的一種制備用于銅互連的Ta-Al-N擴散阻擋層薄膜的工藝，其特征在于，在原位制備Ta-Al-N薄膜時，將基片旋轉。

7、如權利要求4～6任一項所述的一種制備用于銅互連的Ta-Al-N擴散阻擋層薄膜的工藝，其特征在于，步驟1)中所述的將硅片清洗為：用去離子水、超聲波、無水乙醇和丙酮對硅片進行清洗，或者用去離子水、超聲波和無水乙醇對硅片進行清洗。