[發明專利]用于橋式整流電路中的二極管吸收電路有效
| 申請號: | 200810031423.4 | 申請日: | 2008-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN101282092A | 公開(公告)日: | 2008-10-08 |
| 發明(設計)人: | 趙林沖;湯世娟 | 申請(專利權)人: | 長沙圣奧科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/06 | 分類號: | H02M7/06;H02M1/32 |
| 代理公司: | 長沙市融智專利事務所 | 代理人: | 顏勇 |
| 地址: | 412007湖南省株洲*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 整流 電路 中的 二極管 吸收 | ||
技術領域
本發明屬于電子技術領域,涉及一種用于橋式整流電路中的二極管吸收電路。
背景技術
在高壓輸出的開關電源中,如輸出電壓大于100V時,副邊輸出常用到橋式整流電路,由于變壓器漏感的存在,使得二極管在關斷時會產生很高的電壓尖峰,過高的電壓尖峰會損壞二極管,所以經常要加尖峰抑制電路來吸收電壓尖峰,以保護二極管。
傳統的橋式變換電路中,常規的電壓尖峰抑制電路(即二極管吸收電路)是在變壓器的副邊繞組加上RC阻容吸收電路。傳統的二極管吸收電路如圖1所示電路中的R1和C1。傳統的橋式變換電路中,變壓器T1的原副邊電壓波形如圖2所示。
傳統吸收電路的缺點是吸收電阻R1上的損耗相當大,吸收電阻R1要選用較大功率的電阻。具體分析如下:
如圖1和圖2所示,在一個開關周期中,吸收電阻R1的損耗產生在t1a、t2a、t3a、t4a時刻。
吸收電阻R1上的損耗為:
PR1=4*(1/2)*C1*(Vin1*Ns1/Np1)*(Vin1*Ns1/Np1)*Fs1
其中Fs1為開關頻率,Fs1=1/Ts1,Ts1為圖1所示電路的開關周期;C1為電容C1的容值,Vin1為變壓器原邊電壓的理論峰值,Np1和Ns1分別是變壓器原邊和副邊的匝數。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,提供一種用于橋式整流電路中的二極管吸收電路,與傳統的二極管吸收電路相比,該二極管吸收電路可以在保持原有吸收性能的同時,大大降低能耗。
本發明為解決上述技術問題所采用的技術方案是:
一種用于橋式整流電路中的二極管吸收電路,包括整流橋、電感L2和電容C4,電感L2的一端接整流橋的輸出端P,另一端M接電容C4的正極,電容C4的負極接整流橋的另一個輸出端Q,其特征在于,還包括電容C3、電阻R2、二極管D9和D10;
電容C3的一端接整流橋的輸出端P,另一端接二極管D9的負極,二極管D9的正極接整流橋的輸出端Q;
電阻R2的一端接二極管D9的負極,另一端接二極管D10的正極,二極管D10的負極接電感L2的M端。
電容C3為1~10nF的無感吸收電容。電阻R2的值為10~100歐姆。
附圖說明
圖1是橋式電路中的傳統二極管吸收電路圖;
圖2是傳統橋式電路的變壓器原副邊電壓波形圖:(a)為原邊電壓波形圖(b)為副邊電壓波形圖;
圖3是本發明提出的橋式電路中的二極管吸收電路圖;
圖4是本發明提出的二極管吸收電路中變壓器原副邊電壓波形圖:(a)為原邊電壓波形圖(b)為副邊電壓波形圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明。
實施例1:
用于橋式整流電路中的二極管吸收電路如圖3所示,二極管吸收電路由C3、D9、R2、D10組成。C3一般為1nF到10nF之間的無感吸收電容,R2一般為10歐姆到100歐姆的吸收電阻,D9和D10配合C3和R2一起完成吸收功能。L2是濾波電感,與濾波電容C4一起完成對變壓器副邊橋式整流后的脈動電壓的平滑濾波,保證輸出電壓Vo2是平滑的直流。
在本例中,變壓器T2的原副邊電壓波形如圖4所示。
本例中的二極管吸收電路的優點是電阻R2上的損耗相比傳統的電路要小,而吸收效果相差無幾。具體分析如下:
如圖3和圖4所示,在一個開關周期中,改進型二極管吸收電路(即本專利中的二極管吸收電路)中吸收電阻R2的損耗產生在t1b、t3b時刻。而在t2b、t4b時刻,電容C3上的儲能通過D9和L2饋到了輸出電容C4上。
對于每一個周期(即圖3所示的一個開關周期Ts2),副邊的電壓只在t1b、t2b、t3b和t4b時發生變化,各二極管的導通或截止狀態也只在上述時刻發生改變,而且在電路進入穩態時,對于不同的周期,電路的運行和變化狀態均與下述分析的情況一致:
在t1b時刻,二極管D5和D8維持導通,二極管D6和D7截止,變壓器副邊電壓(Vin2*Ns2)/Np2通過L2向C4充電的同時,還通過C3、R2和D10向C4充電,當C3上的電壓為((Vin2*Ns2)/Np2-Vo2)時通過C3、R2和D10向C4充電過程結束,此時C3上儲存的電壓為((Vin2*Ns2)/Np2-Vo2)。
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