[發(fā)明專利]基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810031313.8
• 申請日: 2008-05-16
• 公開（公告）號: CN101271148A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何怡剛;郭杰榮;李慶國;代揚;侯周國;李兵
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南大學(xué)
• 主分類號: G01R31/3173
• 分類號: G01R31/3173
• 代理公司: 長沙市融智專利事務(wù)所
• 代理人: 顏勇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及模擬集成開關(guān)電流電路容差確定方法，特別涉及一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法，可用于對模擬集成開關(guān)電流電路進行故障缺陷測試。

背景技術(shù)

模擬電路傳統(tǒng)的故障模型分為災(zāi)難性故障或硬故障(模擬元器件開路或短路)和參數(shù)性故障或稱為軟故障(模擬器件的參數(shù)值充分地變化超出其容差范圍造成不可接受的性能衰退)。模擬電路輸入和輸出信號之間存在相當(dāng)復(fù)雜的關(guān)系，許多模擬電路是非線性系統(tǒng)，即采用MOSFET晶體管作為放大器，電路參數(shù)值變化范圍非常寬。確定性模型對模擬電路是無效的。因而，信號是由正常值與正常值周圍的可接受范圍一起決定的，IC制造工藝的偏差確定了可接受的信號值容差。

開關(guān)電流電路通常僅采用MOS晶體管作為開關(guān)、跨導(dǎo)以及電流源。(對于開關(guān)電流電路來說跨導(dǎo)即MOS晶體管漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓的微變量之比)。輸入電容C_gs存儲電荷通過對應(yīng)的晶體管存儲電流。這種技術(shù)依靠精密的電流鏡實現(xiàn)采樣數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。由于開關(guān)電流晶體管工藝的一致性，不同的跨導(dǎo)和偏置電流源都是通過改變MOS管的溝道寬度來獲得的，因此溝道寬長比的變化將會對電路性能產(chǎn)生相當(dāng)大的影響。而溝道寬長比(W/L)也正是晶體管失配效應(yīng)的最主要原因。由工藝等因素引起的溝道寬長比變化不僅會造成跨導(dǎo)值的偏差，也會造成電流的定標的誤差，產(chǎn)生失配效應(yīng)與響應(yīng)偏差。因而確定這種特有的響應(yīng)偏差可接受的信號值容差范圍是在開關(guān)電流電路設(shè)計和測試時都是必須考慮的重要因素。這種偏差可以通過靈敏度分析進行檢測。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)電流定標：以開關(guān)電流存儲單元為基礎(chǔ)構(gòu)造開關(guān)電流電路，計算晶體管溝道寬長比，實現(xiàn)電流的定標；

2)、根據(jù)電流定標歸一化跨導(dǎo)值：以輸入端的采樣保持電路晶體管跨導(dǎo)值為基準，其他晶體管歸一化跨導(dǎo)值依照電流定標進行賦值；

3)、將開關(guān)晶體管按歸一化跨導(dǎo)值進行群組：即按照相同歸一化跨導(dǎo)值的晶體管設(shè)為一個群組的標準將所有的晶體管進行分組；

4)、計算群組參數(shù)關(guān)于電路性能參數(shù)的靈敏度和偏差；

5)、從標準曲線加上或減去偏差獲得誤差容限。

所述的開關(guān)電流電路為延遲器、積分器、微分器、雙二次濾波器和其他實用電路。

所述的步驟4)為：

計算節(jié)點電壓E_l，mk(z)對于工作在不同相位的輸入支路a和輸出支路b的跨導(dǎo)G_mab(z)的靈敏度為：

SGmabEi=GmabEiΣm=1fΣk=1fΣl=1fVa,lkV^b,lm]]>