[發明專利]化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法無效
| 申請號： | 200810031235.1 | 申請日： | 2008-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN101270470A | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發明（設計）人： | 唐元洪;李曉川;林良武;徐海峰;黃伯云 | 申請（專利權）人： | 中南大學 |
| 主分類號： | C23C16/26 | 分類號： | C23C16/26;C23C16/52 |
| 代理公司： | 長沙市融智專利事務所 | 代理人： | 顏勇 |
| 地址： | 410083湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學 沉積 合成 金屬催化劑 生長 納米 方法 | ||
1、一種化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：將碳源氣體和載氣的混合氣通入溫度為940℃～980℃的環境中，在無金屬催化劑條件下，碳源氣體的分解產物在650℃～750℃的襯底上沉積形成自組生長碳納米管。
2、如權利要求1所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述的碳源氣體為氣態含碳化合物。
3、如權利要求1所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述載氣為氮氣、氫氣、氬氣之一種或其2種或多種的混合氣體。
4、如權利要求1所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：提供加熱和分解反應環境的設備為高溫爐。
5、如權利要求4所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述的襯底位于所述高溫爐內的出氣端。
6.如權利要求4所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：在對所述高溫爐內通入混合氣之前，將所述高溫爐抽真空，再在載氣的保護下升溫至940℃～980℃。
7、如權利要求4所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述的高溫爐為臥式真空管式高溫爐。
8、如權利要求1任一項所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述的襯底為剛玉、石英片、硅片或氧化鋁襯底。
9、如權利要求1所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述碳源氣體和載氣的流量比1∶2～1∶4。
10、如權利要求1至9任一項所述的化學氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：在所述的940℃～980℃溫度下保溫1～5小時。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
