[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810031235.1
• 申請日: 2008-05-07
• 公開（公告）號: CN101270470A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐元洪;李曉川;林良武;徐海峰;黃伯云
• 申請（專利權(quán)）人: 中南大學(xué)
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/52
• 代理公司: 長沙市融智專利事務(wù)所
• 代理人: 顏勇

1、一種化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：將碳源氣體和載氣的混合氣通入溫度為940℃～980℃的環(huán)境中，在無金屬催化劑條件下，碳源氣體的分解產(chǎn)物在650℃～750℃的襯底上沉積形成自組生長碳納米管。

2、如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述的碳源氣體為氣態(tài)含碳化合物。

3、如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述載氣為氮?dú)狻錃狻鍤庵环N或其2種或多種的混合氣體。

4、如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：提供加熱和分解反應(yīng)環(huán)境的設(shè)備為高溫爐。

5、如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述的襯底位于所述高溫爐內(nèi)的出氣端。

6.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：在對所述高溫爐內(nèi)通入混合氣之前，將所述高溫爐抽真空，再在載氣的保護(hù)下升溫至940℃～980℃。

7、如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述的高溫爐為臥式真空管式高溫爐。

8、如權(quán)利要求1任一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述的襯底為剛玉、石英片、硅片或氧化鋁襯底。

9、如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：所述碳源氣體和載氣的流量比1∶2～1∶4。

10、如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積合成無金屬催化劑自組生長碳納米管的方法，其特征在于：在所述的940℃～980℃溫度下保溫1～5小時(shí)。